ZHCSG50B March   2016  – March 2017

PRODUCTION DATA.  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. 说明 (续)
  6. Device Comparison Table
  7. Pin Configuration and Functions
  8. Specifications
    1. 8.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 8.2 ESD Ratings
    3. 8.3 Recommended Operating Conditions
    4. 8.4 Thermal Information
    5. 8.5 Electrical Characteristics
    6. 8.6 Timing Requirements
    7. 8.7 Typical Characteristics
  9. Detailed Description
    1. 9.1 Functional Block Diagram
    2. 9.2 Feature Description
      1. 9.2.1  Device Power-On-Reset (POR)
      2. 9.2.2  Device Power Up from Battery without Input Source
      3. 9.2.3  Device Power Up from Input Source
        1. 9.2.3.1 Power Up REGN Regulation (LDO)
        2. 9.2.3.2 Poor Source Qualification
        3. 9.2.3.3 Input Source Type Detection
          1. 9.2.3.3.1 D+/D- Detection Sets Input Current Limit (bq25898D)
          2. 9.2.3.3.2 PSEL Pin Sets Input Current Limit (bq25898)
          3. 9.2.3.3.3 Force Input Current Limit Detection
        4. 9.2.3.4 Input Voltage Limit Threshold Setting (VINDPM Threshold)
        5. 9.2.3.5 Converter Power-Up
      4. 9.2.4  Input Current Optimizer (ICO)
      5. 9.2.5  Boost Mode Operation from Battery
      6. 9.2.6  Power Path Management
        1. 9.2.6.1 Narrow VDC Architecture
        2. 9.2.6.2 Dynamic Power Management
        3. 9.2.6.3 Supplement Mode
      7. 9.2.7  Battery Charging Management
        1. 9.2.7.1 Autonomous Charging Cycle
        2. 9.2.7.2 Battery Charging Profile
        3. 9.2.7.3 Charging Termination
        4. 9.2.7.4 Resistance Compensation (IRCOMP)
        5. 9.2.7.5 Thermistor Qualification
          1. 9.2.7.5.1 JEITA Guideline Compliance in Charge Mode
          2. 9.2.7.5.2 Cold/Hot Temperature Window in Boost Mode
        6. 9.2.7.6 Charging Safety Timer
      8. 9.2.8  Battery Monitor
      9. 9.2.9  Status Outputs (PG, STAT, and INT)
        1. 9.2.9.1 Power Good Indicator (PG)
        2. 9.2.9.2 Charging Status Indicator (STAT)
        3. 9.2.9.3 Interrupt to Host (INT)
      10. 9.2.10 BATFET (Q4) Control
        1. 9.2.10.1 BATFET Disable Mode (Shipping Mode)
        2. 9.2.10.2 BATFET Enable (Exit Shipping Mode)
        3. 9.2.10.3 BATFET Full System Reset
      11. 9.2.11 Current Pulse Control Protocol
      12. 9.2.12 Input Current Limit on ILIM
      13. 9.2.13 Thermal Regulation and Thermal Shutdown
        1. 9.2.13.1 Thermal Protection in Buck Mode
          1. 9.2.13.1.1 Thermal Protection in Boost Mode
      14. 9.2.14 Voltage and Current Monitoring in Buck and Boost Mode
        1. 9.2.14.1 Voltage and Current Monitoring in Buck Mode
          1. 9.2.14.1.1 Input Overvoltage (ACOV)
          2. 9.2.14.1.2 System Overvoltage Protection (SYSOVP)
        2. 9.2.14.2 Voltage and Current Monitoring in Boost Mode
          1. 9.2.14.2.1 VBUS Overcurrent Protection
          2. 9.2.14.2.2 Boost Mode Overvoltage Protection
      15. 9.2.15 Battery Protection
        1. 9.2.15.1 Battery Overvoltage Protection (BATOVP)
        2. 9.2.15.2 Battery Over-Discharge Protection
        3. 9.2.15.3 System Overcurrent Protection
      16. 9.2.16 Serial Interface
        1. 9.2.16.1 Data Validity
        2. 9.2.16.2 START and STOP Conditions
        3. 9.2.16.3 Byte Format
        4. 9.2.16.4 Acknowledge (ACK) and Not Acknowledge (NACK)
        5. 9.2.16.5 Slave Address and Data Direction Bit
        6. 9.2.16.6 Single Read and Write
        7. 9.2.16.7 Multi-Read and Multi-Write
    3. 9.3 Device Functional Modes
      1. 9.3.1 Host Mode and Default Mode
    4. 9.4 Register Map
      1. 9.4.1  REG00
      2. 9.4.2  REG01
      3. 9.4.3  REG02
      4. 9.4.4  REG03
      5. 9.4.5  REG04
      6. 9.4.6  REG05
      7. 9.4.7  REG06
      8. 9.4.8  REG07
      9. 9.4.9  REG08
      10. 9.4.10 REG09
      11. 9.4.11 REG0A
      12. 9.4.12 REG0B
      13. 9.4.13 REG0C
      14. 9.4.14 REG0D
      15. 9.4.15 REG0E
      16. 9.4.16 REG0F
      17. 9.4.17 REG10
      18. 9.4.18 REG11
      19. 9.4.19 REG12
      20. 9.4.20 REG13
      21. 9.4.21 REG14
  10. 10Application and Implementation
    1. 10.1 Application Information
    2. 10.2 Typical Application Diagram
      1. 10.2.1 Design Requirements
      2. 10.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 10.2.2.1 Inductor Selection
        2. 10.2.2.2 Buck Input Capacitor
        3. 10.2.2.3 System Output Capacitor
      3. 10.2.3 Application Curves
    3. 10.3 System Example
  11. 11Power Supply Recommendations
  12. 12Layout
    1. 12.1 Layout Guidelines
    2. 12.2 Layout Example
  13. 13器件和文档支持
    1. 13.1 器件支持
      1. 13.1.1 Third-Party Products Disclaimer
    2. 13.2 相关链接
    3. 13.3 接收文档更新通知
    4. 13.4 社区资源
    5. 13.5 商标
    6. 13.6 静电放电警告
    7. 13.7 Glossary
  14. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

特性

  • 高效率 4A、1.5MHz 开关模式降压充电器
    • 充电效率高达 92%(3A 充电电流下)和 91%(4A 充电电流下)
    • 针对高电压输入 (9V/12V) 进行了优化
    • 低功耗 PFM 模式,适用于轻负载操作
  • USB On-the-Go (OTG),可调输出电压范围为 4.5V 至 5.5V
    • 可选 500KHz/1.5MHz 升压转换器,输出电流高达 2.4A
    • 5V、1A 输出电流时升压效率为 94%
    • 精确的断续模式过流保护
  • 单个输入,支持 USB 输入和可调高压适配器
    • 支持 3.9V 至 14V 输入电压范围
    • 输入电流限制(100mA 至 3.25A,分辨率为 50mA),支持 USB2.0、USB3.0 标准和高压适配器
    • 通过输入电压限制(最高 14V)实现最大功率跟踪,适用于各类适配器
    • 自动检测 USB SDP、CDP、DCP 以及非标准适配器 (bq25898)
    • 可编程的 D+/D- 驱动器,用于非标准适配器握手
  • 远程电池感测
  • 输入电流优化器 (ICO),无需过载适配器即可最大限度提高输入功率
  • 充电器输出与电池终端间的电阻补偿 (IRCOMP)
  • 借助 5mΩ 电池放电金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 实现最高电池放电效率,放电电流高达 9A
  • 集成 ADC,用于系统监视
    (电压、温度和充电电流)
  • 窄 VDC (NVDC) 电源路径管理
    • 与无电池或深度放电电池工作时可瞬时接通
    • 电池管理模式中的理想二极管运行
  • BATFET 控制,支持运输模式、唤醒和完全系统复位
  • 灵活的自主和 I2C 模式,可实现最优系统性能
  • 高集成度,包括所有 MOSFET、电流感测和环路补偿
  • 12μA 低电池泄漏电流,支持运输模式
  • 高精度
    • ±0.5% 充电电压调节
    • ±5% 充电电流调节
    • ±7.5% 输入电流调节
  • 安全
    • 用于充电模式和升压模式的电池温度感测
    • 热调节和热关断
  • 采用 2.8mm x 2.5mm 42 焊球芯片尺寸球状引脚栅格阵列 (DSBGA) 封装

应用

  • 智能手机
  • 平板电脑
  • 便携式网络设备

说明

bq25898 和 bq25898D 是适用于锂离子电池和锂聚合物电池的高度集成型 4A 开关模式电池充电管理和系统电源路径管理器件。该器件支持高输入电压快速充电。

器件信息(1)

器件型号 封装 封装尺寸(标称值)
bq25898 DSBGA (42) 2.80mm x 2.50mm
bq25898D DSBGA (42) 2.80mm x 2.50mm
  1. 如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的可订购产品附录。

简化电路原理图

bq25898 bq25898D fp_circuit2_slusca6.gif

修订历史记录

Changes from A Revision (December 2016) to B Revision

  • 完整数据表已更新到产品文件夹 Go

Changes from * Revision (March 2016) to A Revision

  • Changed 已在特性中将 93% 更改为 94% Go
  • Changed anode to cathode in BTSTGo
  • Changed cathode to anode in REGNGo
  • Changed falling to rising in tACOV_RISING test conditions in Electrical CharacteristicsGo
  • Deleted USB SDP (USB100) and the OTG Pin column from Table 3 and Table 4Go
  • Changed VREF to VREGN in Equation 2 Go
  • Changed VREF to VREGN in Figure 18 Go
  • Changed 260 Ω to 232 Ω in Input Current Limit on ILIM Go
  • Added note to Figure 49 Go