ZHCSAJ6B November   2012  – May 2017 CSD18502Q5B

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 接收文档更新通知
    2. 6.2 社区资源
    3. 6.3 商标
    4. 6.4 静电放电警告
    5. 6.5 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q5B 封装尺寸
    2. 7.2 建议 PCB 布局
    3. 7.3 建议模板布局
    4. 7.4 Q5B 卷带信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DNK|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

2 应用

  • 直流 - 直流转换
  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

3 说明

此 40V、1.8mΩ、5mm × 6mmNexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

顶视图

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产品概要

TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 40 V
Qg 栅极电荷总量 (4.5V) 25 nC
Qgd 栅漏栅极电荷 8.4 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 4.5V 2.5 mΩ
VGS = 10V 1.8 mΩ
VGS(th) 阈值电压 1.8 V

订购信息(1)

器件 数量 包装介质 封装 运输
CSD18502Q5B 2500 13 英寸卷带 SON 5mm × 6mm 塑料封装 卷带封装
CSD18502Q5BT 250 7 英寸卷带
  1. 要了解所有可用封装，请参见数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 40 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 100 A
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 204
持续漏极电流(1) 26
IDM 脉冲漏极电流(2) 400 A
PD 功率耗散(1) 3.2 W
功率损耗，TC = 25°C 156
TJ 工作结温 -55 至 150 °C
Tstg 存储温度 -55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单一脉冲
ID = 88A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 387 mJ
  1. RθJA = 40°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 2 盎司的铜焊盘上测得的典型值。
  2. 最大 RθJC = 0.8°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

RDS(on) 与 VGS 对比

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栅极电荷

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