ZHCSB65A June   2013  – June 2014 CSD75207W15

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 商标
    2. 6.2 静电放电警告
    3. 6.3 术语表
  7. 7机械封装和可订购信息
    1. 7.1 CSD75207W15 封装尺寸
    2. 7.2 建议印刷电路板 (PCB) 焊盘图案
    3. 7.3 卷带封装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 双路 P 通道 MOSFET
  • 共源配置
  • 小型封装尺寸 1.5mm x 1.5mm
  • 栅极 - 源电压钳位
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护大于 4kV
    • 人体模型 (HBM) JEDEC 标准 JESD22-A114
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准

2 应用范围

  • 电池管理
  • 电池保护
  • 负载和输入开关

3 说明

CSD75207W15 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。 此器件也已经被授予美国专利 7952145，7420247，7235845 和 6600182。

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产品概要

TA = 25°C 典型值 单位
VD1D2 漏极-漏极电压 -20 V
Qg 栅极电荷总量 (-4.5V) 2.9 nC
Qgd 栅漏栅极电荷 0.4 nC
RD1D2（导通） 漏极到漏极导通电阻 VGS = –1.8V 119 mΩ
VGS = -2.5V 64 mΩ
VGS = -4.5V 45 mΩ
VGS(th) 阀值电压 -0.8 V

订购信息(1)

器件 封装 介质 数量 出货
CSD75207W15 1.5mm x 1.5mm 晶圆级封装 7 英寸卷带 3000 卷带封装
  1. 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

最大绝对额定值

TA = 25°C 值 单位
VD1D2 漏极-漏极电压 -20 V
VGS 栅源电压 -6.0 V
ID1D2 持续漏极到漏极电流(1)(2) –3.9 A
脉冲漏极到漏极电流，
TC= 25°C(3)时测得 		–24 A
IS 持续源引脚电流 –1.2 A
(3)脉冲源引脚电流 -15 A
IG 持续栅极钳位电流 -0.5 A
脉冲栅极钳位电流(3) -7 A
PD 功率耗散(1) 0.7 W
TJ，
Tstg		 运行结温和
储存温度范围		 -55 至 150 °C
  1. 每个器件两侧均导电
  2. 器件在 105ºC 温度下运行
  3. 脉冲持续时间 10μs，占空比 ≤ 2%

顶视图

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RD1D2（导通）与 VGS间的关系

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