ZHCSEH7 December 2015 CSD87502Q2
PRODUCTION DATA.
1 特性
- 低导通电阻
- 两个独立的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
- 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装
- 针对 5V 栅极驱动器而优化
- 雪崩级
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS 环保标准
2 应用范围
- 用于网络互联、电信和计算系统的 负载点 同步降压转换器
- 针对笔记本个人电脑 (PC) 和平板电脑的适配器或 USB 输入保护
- 电池保护
3 说明
CSD87502Q2 是一款 30V、27mΩ N 沟道器件。它具有两个独立的 MOSFET，采用 2mm x 2mm SON 塑料封装。这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置，适用于同步降压等电源 应用。此外，这些 NexFET™功率 MOSFET 还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电 应用。两个 FET 的漏源导通电阻均较低，可最大限度地降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型 应用。
顶视图和电路图
产品概要
| TA=25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 30 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 2.2 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷 栅极到漏极 | 0.5 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 3.8V | 42.0 | mΩ |
| VGS = 4.5V | 35.5 | mΩ | ||
| VGS = 10V | 27.0 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.6 | V | |
.
订购信息(1)
| 器件 | 包装介质 | 数量 | 封装 | 运输 |
|---|---|---|---|---|
| CSD87502Q2 | 7 英寸卷带 | 3000 | SON 2mm x 2mm 塑料封装 |
卷带封装 |
| CSD87502Q2T | 7 英寸卷带 | 250 |
- 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 30 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制） | 5.0 | A |
| IDM | 脉冲漏极电流(1) | 23 | A |
| PD | 功率耗散(2) | 2.3 | W |
| TJ， Tstg |
工作结温， 储存温度 |
-55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单一脉冲 ID = 7.9A，L = 0.1mH，RG = 25Ω |
3.1 | mJ |
- 最大 RθJA = 185°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
- RθJA = 55°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 2 盎司的铜过渡垫片上测得的典型值。
RDS(on) 与 VGS 间的关系 |
栅极电荷 |