ZHCSB80B June   2013  – December  2014 CSD22202W15

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 商标
    2. 6.2 静电放电警告
    3. 6.3 术语表
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 CSD22202W15 封装尺寸
    2. 7.2 建议的焊盘图案
    3. 7.3 卷带信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 低电阻
  • 小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
  • 无铅
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 栅 - 源电压钳位

2 应用范围

  • 电池管理
  • 电池保护
  • 负载开关应用

3 说明

此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。

顶视图和电路配置
CSD22202W15 Pin_Map_and_Circuit_Configuration_P3.gif

产品概要

TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 -8 V
Qg 栅极电荷总量 (-4.5V) 6.5 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 1 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = -2.5V 14.5 mΩ
VGS = -4.5V 10.2 mΩ
VGS(th) 阈值电压 -0.8 V

订购信息(1)

器件 数量 介质 封装 出货
CSD22202W15 3000 7 英寸卷带 1.5mm x 1.5mm 晶圆级球状引脚栅格阵列 (BGA) 封装 卷带封装
CSD22202W15T 250 7 英寸卷带
  1. 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 时测得，除非另外注明 值 单位
VDS 漏源电压 -8 V
VGS 栅源电压 -6 V
ID 持续漏极电流(1)
（受芯片限制）		 -10 A
脉冲漏极电流(2) –48
IG 持续栅极电流(3) -0.5 A
PD 功率耗散(1) 1.5 W
TJ，
Tstg		 运行结温和
储存温度范围		 -55 至 150 °C
  1. 在 1 in22 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，RθJA=75°C/W上测得的典型值。
  2. 脉宽 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
  3. 受栅极电阻限制。

RDS(on) 与 VGS 间的关系

CSD22202W15 graph07p2_LPS400.png

栅极电荷

CSD22202W15 graph04_LPS400.png