ZHCSHU1
March 2018
CSD86336Q3D
PRODUCTION DATA.
1
特性
2
应用
3
说明
俯视图
Device Images
4
修订历史记录
5
Specifications
5.1
Absolute Maximum Ratings
5.2
Recommended Operating Conditions
5.3
Thermal Information
5.4
Power Block Performance
5.5
Electrical Characteristics – Q1 Control FET
5.6
Electrical Characteristics – Q2 Sync FET
5.7
Typical Power Block Device Characteristics
5.8
Typical Power Block MOSFET Characteristics
6
Application and Implementation
6.1
Application Information
6.1.1
Equivalent System Performance
6.2
Power Loss Curves
6.3
Safe Operating Area (SOA) Curves
6.4
Normalized Curves
6.5
Calculating Power Loss and Safe Operating Area (SOA)
6.5.1
Design Example
6.5.2
Calculating Power Loss
6.5.3
Calculating SOA Adjustments
7
Layout
7.1
Recommended Schematic Overview
7.2
Recommended PCB Design Overview
7.2.1
Electrical Performance
7.2.2
Thermal Performance
8
器件和文档支持
8.1
接收文档更新通知
8.2
社区资源
8.3
商标
8.4
静电放电警告
8.5
Glossary
9
机械、封装和可订购信息
9.1
Q3D 封装尺寸
9.2
引脚配置
9.3
焊盘图案建议
9.4
模版建议
封装选项
机械数据 (封装 | 引脚)
DPB|8
MPSS062D
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
zhcshu1_oa
zhcshu1_pm
1
特性
半桥电源块
12A 电流下系统效率高达 93.0%
工作电流高达 20A
高频工作(高达 1.5MHz)
高密度小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装
针对 5V 栅极驱动进行了优化
开关损耗较低
超低电感封装
符合 RoHS 标准
无卤素
无铅引脚镀层