ZHCSGQ9 September   2017 CSD87503Q3E

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
    1.     顶视图
    2.     电路图像
    3.     RDD(on) 与 VGS 之间的关系
  4. 4修订历史记录
  5. 5 Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 接收文档更新通知
    2. 6.2 社区资源
    3. 6.3 商标
    4. 6.4 静电放电警告
    5. 6.5 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q3 封装尺寸
    2. 7.2 建议 PCB 布局
    3. 7.3 建议模板开口

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 双 N 沟道共源极 MOSFET
  • 针对 5V 栅极驱动器进行了优化
  • 低热阻
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装