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LM3477 是一款电流模式高侧 N 沟道 FET 控制器。它常用于降压配置,如图 1-1 所示。电路的所有导电元件均在 LM3477 外面,因此 LM3477 可以包含各种输入、输出和负载。
LM3477 评估板可以随时在以下条件下运行:
元件 | 值 | 器件型号 |
---|---|---|
CIN1 | 120µF/20V | 594D127X0020R2 |
CIN2 | 无连接 | |
COUT1 | 22µF/10V | LMK432BJ226MM (Taiyo Yuden) |
COUT2 | 22µF/10V | LMK432BJ226MM (Taiyo Yuden) |
L | 10µH,3.8A | DO3316P-103 (Coilcraft) |
RC | 1.8kΩ | CRCW08051821FRT1 (Vitramon) |
CC1 | 12nF/50V | VJ0805Y123KXAAT (Vitramon) |
CC2 | 无连接 | |
Q1 | 5 A,30V | IRLMS2002 (IRF) |
D | 100V,3A | MBRS340T3 (Motorola) |
RDR | 20Ω | CRCW080520R0FRT1 (Vitramon) |
RSL | 1kΩ | CRCW08051001FRT1 (Vitramon) |
RFB1 | 16.2kΩ | CRCW08051622FRT1 (Vitramon) |
RFB2 | 10.0kΩ | CRCW08051002FRT1 (Vitramon) |
CFF | 470pF | VJ0805Y471KXAAT (Vitramony) |
RSN | 0.03Ω | WSL 2512 0.03Ω ±1% (Dale) |
图 2-1 至图 2-2 显示了 LM3477 评估板上的前述电路的一些基准测试数据。此评估板还可用于评估针对不同工作点而优化的降压稳压器电路或评估成本与某些性能参数之间的折衷。例如,可以通过使用具有更低 RDS(ON) 的 MOSFET 来提高转换效率,通过使用具有更低 ESR 的输出电容器来降低纹波电压,可以作为 RSN 和 RSL 电阻的函数更改迟滞阈值。
可以通过使用具有更低 RDS(ON) 的 MOSFET 来提高转换效率,但效率会随着输入电压的提高而下降。效率会因二极管导通时间和开关损耗的增加而降低。开关损耗是 Vds × Id 转换损耗和栅极电荷损耗所致,这两种损耗都可以通过使用具有低栅极电容的 FET 来降低。在低占空比下,FET 中的大部分功率损耗均来自开关损耗,权衡较高的 RDS(ON) 以实现较低的栅极电容将会提高效率。
图 3-1 显示了使用表 1-1 中所列外部元件时的 LM3477 开环频率响应波特图。