ZHCSFT3D March   2015  – March 2017 LMG5200

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  7. 7 Parameter Measurement Information
    1. 7.1 Propagation Delay and Mismatch Measurement
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Control Inputs
      2. 8.3.2 Start-up and UVLO
      3. 8.3.3 Bootstrap Supply Voltage Clamping
      4. 8.3.4 Level Shift
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.2.1 VCC Bypass Capacitor
        2. 9.2.2.2 Bootstrap Capacitor
        3. 9.2.2.3 Power Dissipation
      3. 9.2.3 Application Curves
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Examples
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 开发支持
    2. 12.2 文档支持
      1. 12.2.1 相关文档
    3. 12.3 接收文档更新通知
    4. 12.4 社区资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 Glossary
  13. 13机械、封装和可订购信息
    1. 13.1 封装信息

1 特性

  • 集成 15mΩ GaN FET 和驱动器
  • 80V 连续电压，100V 脉冲电压额定值
  • 封装经过优化，可实现简单的 PCB 布局，无需考虑底层填料、爬电和余隙要求
  • 超低共源电感可确保实现高压摆率开关，同时在硬开关拓扑中不会造成过度振铃
  • 非常适合隔离式和非隔离式 应用
  • 栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率
  • 内部自举电源电压钳位可防止 GaN FET 过驱
  • 电源轨欠压锁定保护
  • 优异的传播延迟（典型值为 29.5ns）和匹配（典型值为 2ns）
  • 低功耗

2 应用

  • 宽 VIN 数兆赫兹同步降压转换器
  • D 类音频放大器
  • 适用于电信、工业和企业计算的 48V 负载点 (POL) 转换器
  • 高功率密度单相和三相电机驱动

3 说明

LMG5200 器件集成了 80V、10A 驱动器和 GaN 半桥功率级，采用增强模式氮化镓 (GaN) FET 提供了一套集成功率级解决方案。该器件包含两个 80V GaN FET，它们由采用半桥配置的同一高频 GaN FET 驱动器提供驱动。

GaN FET 在功率转换方面的优势显著，因为其反向恢复电荷几乎为零，输入电容 CISS 也非常小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG5200 器件采用 6mm × 8mm × 2mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。

该器件的输入与 TTL 逻辑兼容，无论 VCC 电压如何，都能够承受高达 12V 的输入电压。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。

该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于具有高频、高效操作及小尺寸要求的 应用 而言，该器件堪称理想的解决方案。与 TPS53632G 控制器搭配使用时，LMG5200 能够直接将 48V 电压转换为负载点电压 (0.5-1.5V)。

器件信息(1)

器件型号 封装 封装尺寸（标称值）
LMG5200 QFM (9) 6.00mm × 8.00mm
  1. 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品附录。已更正中的印刷错误

简化框图

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