ZHCSNE3
June 2021
TLIN2022A-Q1
PRODUCTION DATA
1
特性
2
应用
3
说明
4
说明(续)
5
Revision History
6
Pin Configuration and Functions
7
Specifications
7.1
Absolute Maximum Ratings
7.2
ESD Ratings
7.3
ESD Ratings - IEC
7.4
Thermal Information
7.5
Recommended Operating Conditions
7.6
Electrical Characteristics
7.7
Duty Cycle Characteristics
7.8
Switching Characteristics
7.9
Typical Characteristics
8
Parameter Measurement Information
9
Detailed Description
9.1
Overview
9.2
Functional Block Diagram
9.3
Feature Description
9.3.1
LIN (Local Interconnect Network) Bus
9.3.1.1
LIN Transmitter Characteristics
9.3.1.2
LIN Receiver Characteristics
9.3.1.2.1
Termination
9.3.2
TXD
9.3.3
RXD (Receive Output)
9.3.4
VSUP (Supply Voltage)
9.3.5
GND (Ground)
9.3.6
EN (Enable Input)
9.3.7
Protection Features
9.3.8
TXD Dominant Time Out (DTO)
9.3.9
Bus Stuck Dominant System Fault: False Wake-Up Lockout
9.3.10
Thermal Shutdown
9.3.11
Undervoltage on VSUP
9.3.12
Unpowered Device and LIN Bus
9.4
Device Functional Modes
9.4.1
Normal Mode
9.4.2
Sleep Mode
9.4.3
Standby Mode
9.4.4
Wake-Up Events
9.4.4.1
Wake-Up Request (RXD)
9.4.4.2
Mode Transitions
10
Application Information Disclaimer
10.1
Application Information
10.2
Typical Application
10.2.1
Design Requirements
10.2.2
Detailed Design Procedures
10.2.2.1
Normal Mode Application Note
10.2.2.2
Standby Mode Application Note
10.2.2.3
TXD Dominant State Timeout Application Note
10.2.3
Application Curves
11
Layout
11.1
Layout Guidelines
11.2
Layout Example
12
Device and Documentation Support
12.1
Documentation Support
12.1.1
Related Documentation
12.2
接收文档更新通知
12.3
支持资源
12.4
Trademarks
12.5
Electrostatic Discharge Caution
12.6
Glossary
13
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
封装选项
机械数据 (封装 | 引脚)
DMT|14
MPSS087B
D|14
MPDS177H
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
DMT|14
QFND637
订购信息
zhcsne3_oa
1
特性
符合面向汽车应用的 AEC-Q100(1 级)标准
符合 LIN 2.0、LIN 2.1、LIN 2.2、LIN 2.2 A 和 ISO/DIS 17987–4 电气物理层 (EPL) 规格标准
符合面向汽车应用的 SAE J2602-1 LIN 网络标准
提供功能安全
可帮助进行功能安全系统设计的文档
支持 12V 和 24V 电池应用
LIN 传输数据速率高达 20kbps
LIN 接收数据速率高达 100kbps
宽工作电源电压范围:4V 至 48V
休眠模式:超低电流消耗允许以下类型的唤醒事件:
LIN 总线
通过 EN 引脚的本地唤醒
在 LIN 总线和 RXD 输出上实现上电和断电无干扰运行
保护特性:
±60V LIN 总线容错
V
SUP
欠压保护
TXD 显性超时 (DTO) 保护
热关断保护
系统级未供电节点或接地断开失效防护。
可提供具有可湿性侧面的 SOIC (14) 和无引线 VSON (14) 封装