ZHCSDP0A
May 2015 – February 2019
UC1845A-SP
PRODUCTION DATA.
1
特性
2
应用
3
说明
Device Images
简化电路原理图
VREF 辐射漂移曲线
4
修订历史记录
5
Device Comparison Table
6
Pin Configuration and Functions
Pin Functions
7
Specifications
7.1
Absolute Maximum Ratings
7.2
ESD Ratings
7.3
Recommended Operating Conditions
7.4
Thermal Information
7.5
Electrical Characteristics
7.6
Typical Characteristics
8
Detailed Description
8.1
Overview
8.2
Functional Block Diagram
8.3
Feature Description
8.3.1
UVLO
8.3.2
Reference
8.3.3
Totem-Pole Output
8.4
Device Functional Modes
9
Application and Implementation
9.1
Application Information
9.2
Typical Application
9.2.1
Design Requirements
9.2.2
Detailed Design Procedure
9.2.2.1
Oscillator
9.2.2.2
Current Sensing and Limiting
9.2.2.3
Error Amplifier
9.2.3
Application Curves
10
Power Supply Recommendations
11
Layout
11.1
Layout Guidelines
11.1.1
Feedback Traces
11.1.2
Input/Output Capacitors
11.1.3
Compensation Components
11.1.4
Traces and Ground Planes
11.2
Layout Example
12
器件和文档支持
12.1
接收文档更新通知
12.2
社区资源
12.3
商标
12.4
静电放电警告
12.5
术语表
13
机械、封装和可订购信息
封装选项
机械数据 (封装 | 引脚)
FK|20
MCQC028
JG|8
MCER001B
HKU|10
MCDF015C
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
zhcsdp0a_oa
zhcsdp0a_pm
1
特性
符合 QML V 类 (QMLV) 标准,SMD
5962-86704
5962
P
8670411Vxx:
(2)
抗辐射加固保障 (RHA) 能力高达
30-krad(Si) 总电离剂量 (TID)
通过了 45krad/LDR (10mrad/s) 测试条件(符合 MIL-STD-883 测试方法 1019.9 的 3.13.3.b 小节定义的 1.5 倍过量测试)下的功能性测试且在规定的后辐射参数限值范围内
展现出低剂量率灵敏度
(1)
但在 30krad 总剂量水平下仍保持在 MIL-STD-883,TM1019 所允许的预辐射电气限制范围内
1.
受影响的参数参考输出电压,VREF 辐射漂移曲线(请参见
VREF 辐射漂移曲线
)。
经过优化适用于 DC-DC 转换器
应用
低启动电流 (< 0.5mA)
修整的振荡器放电电流
自动前馈补偿
逐脉冲电流限制
增强型负载响应特性
带滞后的欠压闭锁 (UVLO) 保护
双脉冲抑制
高电流推挽式输出
内部调整的带隙参考
500kHz 工作频率
低 R
O
误差放大器
支持军用级温度范围(-55°C 至 125°C)
2.
改进的 TID 辐射性能仅适用于抗辐射加固保障 (RHA) 器件类型 11。