ZHCSCU6A June   2014  – September 2014 ULN2003B

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 简化电路原理图
  5. 5 修订历史记录
  6. 6 Pin Configuration and Functions
  7. 7 Specifications
    1. 7.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2  Handling Ratings
    3. 7.3  Recommended Operating Conditions
    4. 7.4  Thermal Information
    5. 7.5  Electrical Characteristics, TA = 25°C
    6. 7.6  Electrical Characteristics, TA = -40°C to 105°C
    7. 7.7  Switching Characteristics, TA = 25°C
    8. 7.8  Switching Characteristics, TA = -40°C to 105°C
    9. 7.9  Typical Characteristics
    10. 7.10 Thermal Information
  8. 8 Parameter Measurement Information
  9. 9 Detailed Description
    1. 9.1 Overview
    2. 9.2 Functional Block Diagram
    3. 9.3 Feature Description
    4. 9.4 Device Functional Modes
      1. 9.4.1 Inductive Load Drive
      2. 9.4.2 Resistive Load Drive
  10. 10Application and Implementation
    1. 10.1 Application Information
    2. 10.2 Typical Application
      1. 10.2.1 Design Requirements
      2. 10.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 10.2.2.1 Drive Current
        2. 10.2.2.2 Output Low Voltage
        3. 10.2.2.3 Power Dissipation & Temperature
      3. 10.2.3 Application Curves
  11. 11Power Supply Recommendations
  12. 12Layout
    1. 12.1 Layout Guidelines
    2. 12.2 Layout Example
  13. 13器件和文档支持
    1. 13.1 商标
    2. 13.2 静电放电警告
    3. 13.3 术语表
  14. 14机械封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 输出泄漏电流 (ICEX) 超过 ULN2003A 的四倍
  • 500mA 额定集电极电流（单路输出）
  • 高压输出 50V
  • 钳位二极管输出
  • 可兼容各类逻辑的输入
  • 继电器驱动器应用

2 应用

  • 继电器驱动器
  • 锤式驱动器
  • 灯驱动器
  • 显示屏驱动器（LED 和气体放电元件）
  • 线路驱动器
  • 逻辑缓冲器

3 说明

ULN2003B 是一款高电压、高电流达灵顿晶体管阵列。 这个器件包含 7 个高压输出型 NPN 达灵顿晶体管对，这些晶体管具有针对电感负载开关的共阴极钳位二极管。 单个达灵顿对的集电极电流额定值为 500mA。 将达灵顿对并联可以提供更高的电流。

ULN2003B 的每个达灵顿对具有一个 2.7kΩ 基极串联电阻器，可直接用于晶体管逻辑 (TTL) 或互补金属氧化物半导体 (CMOS) 器件。

器件信息(1)

部件号 封装 封装尺寸（标称值）
ULN2003B PDIP (16) 19.30mm x 6.35mm
SOIC (16) 9.90mm x 3.91mm
TSSOP (16) 5.00mm x 4.40mm
  1. 如需了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

4 简化电路原理图

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