DATA SHEET
INA253 2mΩの高精度低誘導性シャント抵抗を搭載した 高電圧、双方向、ゼロ・ドリフトの電流シャント・モニタ
このリソースの元の言語は英語です。 翻訳は概要を便宜的に提供するもので、自動化ツール (機械翻訳) を使用していることがあり、TI では翻訳の正確性および妥当性につきましては一切保証いたしません。 実際の設計などの前には、ti.com で必ず最新の英語版をご参照くださいますようお願いいたします。
1 特長
- 高精度のシャント抵抗を内蔵
- シャント抵抗: 2mΩ
- シャント・インダクタンス: 3nH
- シャント抵抗の公差: 0.1% (最大値)
- -40°C～+85°Cで±15Aの連続電流
- 0°C～125°Cの温度ドリフト係数: 10ppm/°C
- 高帯域幅: 350kHz
- 強化されたPWM除去
- 非常に優れたCMRR
- 120dBを超えるDC CMRR
- 50kHzにおいて90dBのAC CMRR
- 精度
- ゲイン
- ゲイン誤差：0.4%（最大値）
- ゲイン・ドリフト係数: 45ppm/℃ (最大値)
- オフセット
- オフセット電流：±15mA（最大値）
- オフセット・ドリフト係数：125µA/°C（最大値）
- 広い同相電圧範囲: -4V～+80V
- 利用可能なゲイン: 100mV/A、200mV/A、
400mV/A
- 静止電流：2.4mA（最大値）