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CSD1FPCHEVM-890

FemtoFET P 沟道评估模块

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CSD1FPCHEVM-890

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概述

此 FemtoFET P 沟道 EVM 包含六个子卡，每个子卡包含一个不同的 FemtoFET P 沟道器件型号。  子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。  六个 FemtoFET 支持 12V 至 20V 的 Vds 范围，而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

特性
  • 可轻松处理这些基板栅格阵列 (LGA) 封装器件
  • 完整范围的 Vds 和封装尺寸
  • 七个子卡可拆分以创建单板（每个子卡一个 FET）
  • FemtoFET 具有 FET 业内出色的尺寸和电阻
MOSFET
CSD23280F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、116mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD23285F5 — 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD23382F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD25480F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、159mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD25481F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、105mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD25484F4 — 采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、109mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P 沟道评估模块

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* EVM 用户指南 Ultra-Small Footprint P-Channel FemtoFET™ MOSFET Test EVM 2017年 12月 6日
证书 CSD1FPCHEVM-890 EU Declaration of Conformity (DoC) 2019年 1月 2日

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