ISO5852SEVM
ISO5852SEVM - ISO5852S 评估模块
ISO5852SEVM
概述
该评估模块采用 ISO5852S 增强型隔离式栅极驱动器器件，可让设计人员通过预填充的 1-nF 负载或采用标准 TO-247 或 TO-220 封装的用户安装型 IGBT 来评估器件的交流和直流性能。
特性
带 2.5A 拉电流和 5A 灌电流的增强型隔离式 IGBT 栅极驱动器。较短的传播时间可确保精确控制输出级。
输入端由 2.25 V 至 5.5 V 的单电源供电运行。输出端支持从最小 15 V 到最大 30 V 的电源范围
2 A 米勒钳位、输出短路钳位、去饱和度时的故障警报以及带就绪引脚指示的输入和输出欠压锁定
分离的输出、有源输出下拉和默认低输出情况。DESAT 检测时带低电源或浮点输入的闸极驱动器。兼容 CMOS 的输入
该评估模块已针对器件功能性进行测试，同时其用户指南可供设计人员用于评估自己的设计
- ISO5852SEVM board is included
隔离式栅极驱动器
设计文件
技术文档
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| 类型 | 标题 | 下载最新的英文版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | EVM 用户指南 | ISO5852S Evaluation Module User's Guide (Rev. A) | 2015年 9月 8日 | |||
| 数据表 | ISO5852S 具有分离输出和有源保护特性的高 CMTI 2.5A 和 5A 增强型隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器 数据表 (Rev. C) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2023年 6月 15日 | |
| 证书 | ISO5852SEVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2019年 1月 2日 | ||||
| 数据表 | ISO5452-Q1 High-CMTI 2.5-A and 5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Split Outputs and Active Protection Features 数据表 (Rev. A) | PDF | HTML | 2016年 12月 22日 | |||
| 数据表 | ISO5852S-Q1 High-CMTI 2.5-A and 5-A Reinforced Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Split Outputs and Active Protection Features 数据表 (Rev. A) | PDF | HTML | 2016年 12月 22日 | |||
| 数据表 | ISO5452-Q1 具有分离输出和有源安全特性的高 CMTI 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极 驱动器 数据表 | PDF | HTML | 最新英语版本 (Rev.A) | PDF | HTML | 2016年 11月 7日 | |
| 数据表 | ISO5852S-Q1 具有分离输出和有源安全特性的高 CMTI 2.5A 和 5A 增强型隔离式 IGBT、MOSFET 栅极 驱动器 数据表 | PDF | HTML | 最新英语版本 (Rev.A) | PDF | HTML | 2016年 11月 4日 |