ZHCSKQ1C May   2019  – December 2024 LMG1025-Q1

PRODUCTION DATA  

1.   1
2. 1 特性
3. 2 应用
4. 3 说明
5. 4 引脚配置和功能
6. 5 规格
   1. 5.1 绝对最大额定值
   2. 5.2 ESD 等级
   3. 5.3 建议运行条件
   4. 5.4 热性能信息
   5. 5.5 电气特性
   6. 5.6 开关特性
   7. 5.7 典型特性
7. 6 详细说明
   1. 6.1 概述
   2. 6.2 功能方框图
   3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输入级
      2. 6.3.2 输出级
      3. 6.3.3 辅助电源和欠压锁定
      4. 6.3.4 过热保护 (OTP)
   4. 6.4 器件功能模式
8. 7 应用和实施
   1. 7.1 应用信息
   2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
         1. 7.2.2.1 处理接地反弹
         2. 7.2.2.2 生成纳秒脉冲
         3. 7.2.2.3 VDD 和过冲
         4. 7.2.2.4 以更高频率运行
      3. 7.2.3 应用曲线
9. 8 电源相关建议
10. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
       1. 9.1.1 栅极驱动环路电感和接地连接
       2. 9.1.2 旁路电容器
    2. 9.2 布局示例
11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
       1. 10.1.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 术语表
12. 11修订历史记录
13. 12机械、封装和可订购信息

LMG1025-Q1 适用于高频和窄脉冲应用的
汽车类低侧 GaN 和 MOSFET 驱动器

本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。

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