ZHCS016E January   2011  – July 2015 DRV8833

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Fixed-Frequency PWM Motor Drivers
      2. 7.3.2 Bridge Control and Decay Modes
      3. 7.3.3 Current Control
      4. 7.3.4 nSLEEP Operation
      5. 7.3.5 Protection Circuits
        1. 7.3.5.1 Overcurrent Protection (OCP)
        2. 7.3.5.2 Thermal Shutdown (TSD)
        3. 7.3.5.3 Undervoltage Lockout (UVLO)
    4. 7.4 Device Functional Modes
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 Motor Voltage
        2. 8.2.2.2 Motor Current Trip Point
        3. 8.2.2.3 Sense Resistor
      3. 8.2.3 Application Curve
  9. 9 Power Supply Recommendations
    1. 9.1 Bulk Capacitance
    2. 9.2 Power Supply and Logic Sequencing
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
      1. 10.1.1 Heatsinking
    2. 10.2 Layout Example
    3. 10.3 Thermal Considerations
      1. 10.3.1 Maximum Output Current
      2. 10.3.2 Thermal Protection
    4. 10.4 Power Dissipation
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档　
    2. 11.2 社区资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 静电放电警告
    5. 11.5 Glossary
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • PW|16
  • RTY|16
  • PWP|16
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 双路 H 桥电流控制电机驱动器
    • 可以驱动两部直流电机或一部步进电机
    • 低金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 导通电阻：高侧 (HS) + 低侧 (LS) 360mΩ
  • 输出电流（VM = 5V，25°C 时）
    • 采用 PWP/RTY 封装：每条 H 桥的 RMS 电流为 1.5A，峰值电流为 2A
    • 采用 PW 封装：每条 H 桥的 RMS 电流为 500mA，峰值电流为 2A
  • 可以将输出并联，以实现
    • 3A RMS 电流、4A 峰值电流（PWP 和 RTY 封装）
    • 1A RMS 电流、4A 峰值电流（PW 封装）
  • 宽电源电压范围：
    2.7V 至 10.8V
  • PWM 绕组电流调节/电流限制
  • 耐热增强型表面贴装封装

2 应用

  • 电池供电式玩具
  • 服务点 (POS) 打印机
  • 视频安保摄像机
  • 办公自动化设备
  • 游戏机
  • 机器人

3 说明

DRV8833器件为玩具、打印机及其他机电一体化应用提供了一款双桥电机驱动器 解决方案。

该器件具有两个 H 桥驱动器，能够驱动两部直流刷式电机、一部双极步进电机、多个螺线管或其他感性负载。

每个 H 桥的输出驱动器模块由配置为 H 桥的 N 沟道功率 MOSFET 组成，用于驱动电机绕组。每个 H 桥均具备调节或限制绕组电流的电路。

该器件利用故障输出引脚实现内部关断功能，提供过流保护、短路保护、欠压锁定和过热保护。另外，还提供了一种低功耗休眠模式。

DRV8833 采用带有 PowerPAD™16 引脚超薄型四方扁平无引线 (WQFN) 封装（环保型：符合 RoHS 标准且不含锑/溴）。

器件信息(1)

器件型号 封装 封装尺寸（标称值）
DRV8833 TSSOP (16) 5.00mm x 4.40mm
HTSSOP (16) 5.00mm x 4.40mm
WQFN (16) 4.00mm x 4.00mm
  1. 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

简化电路原理图

DRV8833 sch_FAD_slvsar1.gif