ZHCSEI3A January   2016  – February 2017 TPS7H1101-SP

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 说明 （续）
  6. 6 Pin Configuration and Functions
  7. 7 Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics
    6. 7.6 Typical Characteristics
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Soft Start
      2. 8.3.2 Power Good (PG)
    4. 8.4 Device Functional Modes
      1. 8.4.1 Enable/Disable
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
      1. 9.1.1 Stability
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.2.1 Adjustable Output Voltage (Feedback Circuit)
        2. 9.2.2.2 PCL
        3. 9.2.2.3 High-Side Current Sense
        4. 9.2.2.4 Current Foldback
        5. 9.2.2.5 Transient Response
        6. 9.2.2.6 Current Sharing
        7. 9.2.2.7 Compensation
        8. 9.2.2.8 Output Noise
        9. 9.2.2.9 Capacitors
      3. 9.2.3 Application Curves
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 Third-Party Products Disclaimer
      2. 12.1.2 器件命名规则
    2. 12.2 文档支持
      1. 12.2.1 相关文档
    3. 12.3 接收文档更新通知
    4. 12.4 社区资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 Glossary
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 5962R13202：
    • 耐辐射保障 (RHA) 高达 100krad (Si) TID
    • 总电离剂量为 100krad (Si)
    • 无低剂量率辐射损伤增强 (ELDRS) 100krad (Si)
    • 剂量率达 10mRAD (si)/s
    • 单粒子锁定 (SEL) 对于
      LET 的抗扰度 = 85MeV-cm2/mg
    • SEB 和 SEGR 对于
      LET 的抗扰度 = 85MeV-cm2/mg
    • SET/SEFI 启动阈值大于 40MeV-cm2/mg，详情请参阅辐射报告
      • 专为降低干扰而设计，以避免损坏重要的下行组件
    • 有关 SET/SEFI 横截面图的详细信息，请参见辐射报告
  • 超低输入电压范围：1.5V 至 7V
  • 3A 最大输出电流
  • 电流共享/并联工作可提供最高可达 6A 的输出电流
  • 与陶瓷输出电容一起工作时保持稳定
  • 线路、负载和温度范围内的精度为 ±2%
  • 通过外部电容实现可编程软启动
  • 用于电源排序的输入使能和电源正常输出
  • 超低压降 LDO 电压：
    1A (25°C)、VOUT = 1.8V 时为 62mV
  • 低噪声：
    VIN = 2V、VOUT = 1.8V、电流为 3A 时为 20.33 µVRMS
  • 电源抑制比 (PSRR)：1kHz 频率下超过 45dB
  • 出色的负载/线路瞬态响应
  • 折返电流限制
  • 请参见工具和软件 (Tools & Software) 选项卡
  • 耐热增强型 CFP 封装 (0.6°C/W RθJC)

2 应用

  • 用于 FPGA、微控制器、ASIC 和数据转换器的太空卫星负载点电源
  • 太空卫星有效载荷
  • 用于射频、压控振荡器、接收器和放大器的耐辐射低噪声线性稳压器
  • 洁净模拟电源需求
  • 可用于军用温度范围，即 -55°C 至 125°C
  • 提供工程评估 (/EM) 样品 (1)

3 说明

TPS7H1101-SP 是一款采用 PMOS 导通元件配置的耐辐射 LDO 线性稳压器。此器件可在 1.5V 至 7V 的宽输入电压范围内运行，同时提供出色的 PSRR。

TPS7H1101-SP 通过 极宽的调节范围实现了精确的可编程折返电流限值功能。为了满足 FPGA、DSP 或微控制器的复杂电源要求，TPS7H1101-SP 提供使能导通和关断功能、可编程软启动、电流共享功能以及电源正常开漏输出。

器件信息(2)

器件型号 封装 封装尺寸（标称值）
TPS7H1101-SP CFP (16) 11.00mm x 9.60mm
  1. 这些部件仅用于工程评估。以非合规性流程对其进行了处理（即未进行老化处理等操作）并且仅在 25°C 的额定温度下进行了测试。这些部件不适用于质检、生产、辐射测试或飞行。这些零部件无法在 –55°C 至 125°C 的完整 MIL 额定温度范围内或运行寿命中保证其性能。
  2. 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。

典型应用电路

TPS7H1101-SP typ_app_cir_1_lvsd81.gif