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线性和低压降 (LDO) 稳压器

TPS7H1101-SP

不推荐用于新设计

1.5V 至 7V 输入、3A、超低压降稳压器

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TPS7H1101-SP 不推荐用于新设计
该产品会持续为现有客户提供。新设计应考虑替代产品。
open-in-new 比较替代产品
功能优于所比较器件的普遍直接替代产品
TPS7H1101A-SP 正在供货 耐辐射 QMLV、1.5V 至 7V 输入、3A 低噪声可调低压降 (LDO) 稳压器 The TPS7H1101A-SP is an improved version of the TPS7H1101-SP allowing the use of the enable feature across the entire input voltage range.

TPS7H1101-SP

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产品详情

Output options Adjustable Output Iout (max) (A) 3 Vin (max) (V) 7 Vin (min) (V) 1.5 Vout (max) (V) 6.8 Vout (min) (V) 0.8 Rating Space Noise (µVrms) 20.33 PSRR at 100 KHz (dB) 25 Iq (typ) (mA) 7 Load capacitance (min) (µF) 22 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Foldback Overcurrent protection, Power good, Soft start Accuracy (%) 2 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 60 Operating temperature range (°C) -55 to 125
Output options Adjustable Output Iout (max) (A) 3 Vin (max) (V) 7 Vin (min) (V) 1.5 Vout (max) (V) 6.8 Vout (min) (V) 0.8 Rating Space Noise (µVrms) 20.33 PSRR at 100 KHz (dB) 25 Iq (typ) (mA) 7 Load capacitance (min) (µF) 22 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Foldback Overcurrent protection, Power good, Soft start Accuracy (%) 2 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 60 Operating temperature range (°C) -55 to 125
CFP (HKR) 16 105.6 mm² 11 x 9.6
  • 5962R13202：
    • 耐辐射保障 (RHA) 高达 100krad (Si) TID
    • 总电离剂量为 100krad (Si)
    • 无低剂量率辐射损伤增强 (ELDRS) 100krad (Si)
    • 剂量率达 10mRAD (si)/s
    • 单粒子锁定 (SEL) 对于
      LET 的抗扰度 = 85MeV-cm2/mg
    • SEB 和 SEGR 对于
      LET 的抗扰度 = 85MeV-cm2/mg
    • SET/SEFI 启动阈值大于 40MeV-cm2/mg，详情请参阅辐射报告
      • 专为降低干扰而设计，以避免损坏重要的下行组件
    • 有关 SET/SEFI 横截面图的详细信息，请参见辐射报告
  • 超低输入电压范围：1.5V 至 7V
  • 3A 最大输出电流
  • 电流共享/并联工作可提供最高可达 6A 的输出电流
  • 与陶瓷输出电容一起工作时保持稳定
  • 线路、负载和温度范围内的精度为 ±2%
  • 通过外部电容实现可编程软启动
  • 用于电源排序的输入使能和电源正常输出
  • 超低压降 LDO 电压：
    1A (25°C)、VOUT = 1.8V 时为 62mV
  • 低噪声：
    VIN = 2V、VOUT = 1.8V、电流为 3A 时为 20.33 µVRMS
  • 电源抑制比 (PSRR)：1kHz 频率下超过 45dB
  • 出色的负载/线路瞬态响应
  • 折返电流限制
  • 请参见工具和软件 (Tools & Software) 选项卡
  • 耐热增强型 CFP 封装 (0.6°C/W RθJC)
  • 5962R13202：
    • 耐辐射保障 (RHA) 高达 100krad (Si) TID
    • 总电离剂量为 100krad (Si)
    • 无低剂量率辐射损伤增强 (ELDRS) 100krad (Si)
    • 剂量率达 10mRAD (si)/s
    • 单粒子锁定 (SEL) 对于
      LET 的抗扰度 = 85MeV-cm2/mg
    • SEB 和 SEGR 对于
      LET 的抗扰度 = 85MeV-cm2/mg
    • SET/SEFI 启动阈值大于 40MeV-cm2/mg，详情请参阅辐射报告
      • 专为降低干扰而设计，以避免损坏重要的下行组件
    • 有关 SET/SEFI 横截面图的详细信息，请参见辐射报告
  • 超低输入电压范围：1.5V 至 7V
  • 3A 最大输出电流
  • 电流共享/并联工作可提供最高可达 6A 的输出电流
  • 与陶瓷输出电容一起工作时保持稳定
  • 线路、负载和温度范围内的精度为 ±2%
  • 通过外部电容实现可编程软启动
  • 用于电源排序的输入使能和电源正常输出
  • 超低压降 LDO 电压：
    1A (25°C)、VOUT = 1.8V 时为 62mV
  • 低噪声：
    VIN = 2V、VOUT = 1.8V、电流为 3A 时为 20.33 µVRMS
  • 电源抑制比 (PSRR)：1kHz 频率下超过 45dB
  • 出色的负载/线路瞬态响应
  • 折返电流限制
  • 请参见工具和软件 (Tools & Software) 选项卡
  • 耐热增强型 CFP 封装 (0.6°C/W RθJC)

TPS7H1101-SP 是一款采用 PMOS 导通元件配置的耐辐射 LDO 线性稳压器。此器件可在 1.5V 至 7V 的宽输入电压范围内运行，同时提供出色的 PSRR。

TPS7H1101-SP 通过 极宽的调节范围实现了精确的可编程折返电流限值功能。为了满足 FPGA、DSP 或微控制器的复杂电源要求，TPS7H1101-SP 提供使能导通和关断功能、可编程软启动、电流共享功能以及电源正常开漏输出。

TPS7H1101-SP 采用 16 引脚耐热增强型陶瓷扁平封装 (CFP)。

TPS7H1101-SP 是一款采用 PMOS 导通元件配置的耐辐射 LDO 线性稳压器。此器件可在 1.5V 至 7V 的宽输入电压范围内运行，同时提供出色的 PSRR。

TPS7H1101-SP 通过 极宽的调节范围实现了精确的可编程折返电流限值功能。为了满足 FPGA、DSP 或微控制器的复杂电源要求，TPS7H1101-SP 提供使能导通和关断功能、可编程软启动、电流共享功能以及电源正常开漏输出。

TPS7H1101-SP 采用 16 引脚耐热增强型陶瓷扁平封装 (CFP)。
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技术文档

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 辐射与可靠性报告 TPS7H1101-SP Total Ionizing Dose (TID) 2022年 11月 4日
* 辐射与可靠性报告 TPS7H1101-SP Neutron Displacement Damage Characterization Report 2017年 10月 23日
* 数据表 TPS7H1101-SP 1.5V 至 7V 输入 3A 耐辐射、超低压差 (LDO) 稳压器 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2017年 2月 21日
* 辐射与可靠性报告 TPS7H1101‐SP TID and SEE Report (Rev. A) 2015年 4月 27日

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点