DATA SHEET
CSD23285F5 –12V、P チャネル FemtoFET™ MOSFET
このリソースの元の言語は英語です。 翻訳は概要を便宜的に提供するもので、自動化ツール (機械翻訳) を使用していることがあり、TI では翻訳の正確性および妥当性につきましては一切保証いたしません。 実際の設計などの前には、ti.com で必ず最新の英語版をご参照くださいますようお願いいたします。
1 特長
- 低オン抵抗
- 低い Qg および Qgd
- 極めて小さいフットプリント
- 1.53mm × 0.77mm
- 0.50mm のパッド・ピッチ
- 薄型
- 高さ 0.36mm
- ESD 保護ダイオード搭載
- HBM 定格 > 4kV
- CDM 定格 > 2kV
- 鉛およびハロゲン不使用
- RoHS 準拠
2 アプリケーション
- 産業用ロード・スイッチ・アプリケーションに最適
- 汎用スイッチング・アプリケーションに最適
3 概要
この 29mΩ、–12V、P チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えることで、フットプリント・サイズを大幅に低減できます。
図 3-1 標準的な部品寸法製品概要
| TA = 25℃ | 標準値 | 単位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン - ソース間電圧 | –12 | V | |
| Qg | ゲートの合計電荷 (–4.5V) | 3.2 | nC | |
| Qgd | ゲート電荷、ゲート - ドレイン間 | 0.48 | nC | |
| RDS(on) | ドレイン - ソース間オン抵抗 | VGS = –1.5V | 64 | mΩ |
| VGS = –1.8V | 49 | |||
| VGS = –2.5V | 38 | |||
| VGS = –4.5V | 29 | |||
| VGS(th) | スレッショルド電圧 | –0.65 | V | |
製品情報(1)
| デバイス | 数量 | メディア | パッケージ | 出荷形態 |
|---|---|---|---|---|
| CSD23285F5 | 3000 | 7 インチ・リール | Femto 1.53mm × 0.77mm SMD リードレス | テープ・アンド・リール |
| CSD23285F5T | 250 |
(1) 利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。
絶対最大定格
| TA = 25℃ | 値 | 単位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン - ソース間電圧 | –12 | V |
| VGS | ゲート - ソース間電圧 | –6 | V |
| ID | 連続ドレイン電流(1) | –3.3 | A |
| 連続ドレイン電流(2) | –5.4 | ||
| IDM | パルス・ドレイン電流(1)(3) | –31 | A |
| PD | 消費電力(1) | 0.5 | W |
| 消費電力(2) | 1.4 | ||
| V(ESD) | 人体モデル (HBM) | 4000 | V |
| デバイス帯電モデル (CDM) | 2000 | ||
| TJ、 Tstg | 動作時の接合部温度、 保存温度 | –55～150 | ℃ |
(1) 最小 Cu、RθJA = 245℃/W (標準値)
(2) 最大 Cu、RθJA = 90℃/W (標準値)
(3) パルス幅 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%
図 3-2 上面図4 Revision History
Changes from Revision A (July 2017) to Revision B (February 2022)
- 超薄型の箇条書き項目を、高さ 0.35mm から 0.36mm に変更。Go
- 超薄型の画像の高さを 0.35mm から 0.36mm に更新。Go
- Changed ultra-low profile image height from 0.35 mm to 0.36 mm.Go
- Added FemtoFET Surface Mount Guide note.Go
Changes from Revision * (August 2016) to Revision A (July 2017)
- Added Table 7-1 to the Section 7.1 sectionGo