JAJSN42D
December 2011 – December 2021
TPS28225-Q1
PRODUCTION DATA
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
4
Revision History
5
Pin Configuration and Functions
6
Specifications
6.1
Absolute Maximum Ratings
6.2
ESD Ratings
6.3
Recommended Operating Conditions
6.4
Thermal Information
6.5
Electrical Characteristics
6.6
Switching Characteristics
6.7
Typical Characteristics
7
Detailed Description
7.1
Overview
7.2
Functional Block Diagram
7.3
Feature Description
7.3.1
Undervoltage Lockout (UVLO)
7.3.2
Output Active Low
7.3.3
Enable/Power Good
7.3.4
3-State Input
7.3.5
Bootstrap Diode
7.3.6
Upper and Lower Gate Drivers
7.3.7
Dead-Time Control
7.3.8
Thermal Shutdown
7.4
Device Functional Modes
8
Application and Implementation
8.1
Application Information
8.2
Typical Application
8.2.1
Design Requirements
8.2.2
Detailed Design Procedure
8.2.2.1
Switching the MOSFETs
8.2.3
Application Curves
9
Power Supply Recommendations
10
Layout
10.1
Layout Guidelines
10.2
Layout Example
11
Device and Documentation Support
11.1
Third-Party Products Disclaimer
11.2
Documentation Support
11.2.1
Related Documentation
11.3
Receiving Notification of Documentation Updates
11.4
サポート・リソース
11.5
Trademarks
11.6
Electrostatic Discharge Caution
11.7
Glossary
12
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
パッケージ・オプション
メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
D|8
MSOI002K
DRB|8
MPDS118K
サーマルパッド・メカニカル・データ
DRB|8
QFND058N
発注情報
jajsn42d_oa
jajsn42d_pm
1
特長
車載アプリケーション向けに認定済み
2 つの N チャネル MOSFET を 14ns の適応型デッド・タイムで駆動
広いゲート駆動電圧範囲:4.5V~8.8V (7V~8V で最大効率)
広いパワー・システム・トレイン入力電圧範囲:3V~27V
広い PWM 入力信号範囲:2V~13.2V の振幅
1 相あたり 40A 以上の電流で MOSFET を駆動可能
高周波動作:14ns の伝播遅延、10ns の立ち上がり / 立ち下がり時間により、
最大 2MHz の F
SW
を実現
30ns 未満の入力 PWM パルスを伝搬可能
ローサイド・ドライバ・シンク・オン抵抗 (0.4Ω) により、dV/dt に関連する貫通電流を防止
パワー段をシャットダウンするための 3 ステート PWM 入力
同じピンを共有する省スペースのイネーブル (入力) 信号とパワー・グッド (出力) 信号
サーマル・シャットダウン
UVLO 保護
内蔵ブートストラップ・ダイオード
安価な SOIC-8 パッケージと放熱性に優れた 3mm × 3mm VSON-8 パッケージ
一般的な 3 ステート入力ドライバに対する高性能な代替品