DRV8212
- N 沟道 H 桥电机驱动器
- MOSFET 导通电阻:HS + LS 280mΩ
- 可驱动一个双向有刷直流电机
- 两个单向有刷直流电机
- 一个单线圈或双线圈闭锁继电器
- 推挽式和双稳态螺线管
- 其他电阻、电感或 LED 负载
- 1.65V 至 11V 工作电源电压范围
- 高输出电流能力:
- 全桥:4A 峰值
- 半桥:每个输出 4A 峰值
- 并联半桥:8A 峰值
- 多个接口可实现灵活性并减少 GPIO
-
标准脉宽调制 (PWM) 接口(IN1/IN2)
- 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入
- 超低功耗休眠模式
- 在 VVM = 5V,VVCC = 3.3V,TJ = 25°C 时 <84.5nA
- 定时自动睡眠模式以减少 GPIO
- 保护特性
- 欠压锁定(UVLO)
- 过流保护(OCP)
- 热关断(TSD)
- 器件系列。请参阅器件比较表了解详细信息。
DRV8212 是一款集成电机驱动器,具有四个 N 通道功率 FET、电荷泵稳压器和保护电路。 三倍电荷泵架构可使器件在低至 1.65V 的电压下工作,以适应 1.8V 电源轨和电池电量不足的情况。电荷泵集成了所有电容器,以减小 PCB 上电机驱动器的整体解决方案尺寸,并实现 100% 占空比运行。
DRV8212 支持多种控制接口模式,包括:PWM(IN1/IN2)、相位/使能(PH/EN)、独立半桥和并联半桥。每个接口都支持低功耗睡眠模式,通过关断大部分内部电路实现超低静态电流消耗。
该器件能够提供高达 4A 的峰值输出电流。该器件由 1.65V 至 5.5V 的电源电压供电运行。
该驱动器提供强大的内部保护功能,包括电源欠压锁定(UVLO)、输出过流(OCP) 和器件过热(TSD)。
DRV8212 是一系列器件的一部分,这些器件采用引脚对引脚可扩展 RDS(on) 和电源电压选项,以支持各种负载和电源轨,且几乎不需要设计变更。请参阅器件比较表,了解有关该系列器件的信息。访问 TI.com 查看我们完整的有刷电机驱动器产品系列。
您可能感兴趣的相似产品
功能与比较器件相同,且具有相同引脚
技术文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 4 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
---|---|---|---|---|---|---|
* | 数据表 | 具有 PWM、PH/EN 以及半桥控制接口和低功耗睡眠模式的 DRV8212 11V H 桥电机驱动器 数据表 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2022年 7月 22日 |
技术文章 | Benefits of flip chip on leadframe packaging for motor-drive applications | PDF | HTML | 2022年 4月 29日 | |||
EVM 用户指南 | DRV821xEVM and DRV8220EVM User's Guide (Rev. A) | 2020年 12月 17日 | ||||
应用手册 | 所选封装材料的热学和电学性质 | 2008年 10月 16日 |
设计和开发
如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。
评估板
DRV8212EVM — DRV8212 具有低功耗睡眠模式的低电压 H 桥电机驱动器评估模块
DRV8212 评估模块 (EVM) 可轻松评估 DRV8212 电机驱动器。
DRV8212 集成了 N 沟道 H 桥、电荷泵稳压器以及保护电路。该器件支持 PWM (IN1/IN2)、相位/使能 (PH/EN)、独立半桥和并行半桥控制模式。
EVM 配备了电位器,可用于设置输入控制引脚(PH/IN1、EN/IN2)的占空比。
用户指南: PDF
封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
---|---|---|
SOT-5X3 (DRL) | 6 | Ultra Librarian |
WSON (DSG) | 8 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。