CSD1FNCHEVM-889

FemtoFET N 沟道评估模块

CSD1FNCHEVM-889

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概述

这款 FemtoFET N 沟道 EVM 包含七个子卡，每个子卡包含一个不同的 FemtoFET N 沟道部件号。子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。七个 FemtoFET 支持 12V 至 40V 的 Vds 范围，而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

特性

可轻松处理这些基板栅格阵列 (LGA) 封装部件
完整范围的 Vds 和封装尺寸
七个子卡可拆分以创建单板（每个子卡一个 FET）
FemtoFET 具有 FET 业内最佳的尺寸*电阻

MOSFET

CSD13380F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD13383F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、44mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD13385F5 — 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD15380F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、1460mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17381F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、117mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17585F5 — 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD18541F5 — 采用 1.5mm x 0.8mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、65mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N 沟道评估模块

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	类型	标题		下载最新的英文版本		日期
*	EVM 用户指南	Ultra-Small Footprint N-Channel FemtoFET™ MOSFET Test EVM				2017年 12月 6日
	证书	CSD1FNCHEVM-889 EU Declaration of Conformity (DoC)				2019年 1月 2日

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