PMP22509

18 至 36VDC 输入、25W 直流/直流有源钳位正向转换器参考设计

PMP22509

设计文件

概述

此有源钳位正向参考设计可将 18V 至 36V 输入转换为 5V、25W 输出。此参考设计使用 UCC2897A 高级电流模式有源钳位 PWM 控制器和 P 沟道辅助 FET,简化了有源钳位的实施。采用 24V 输入时,此设计的峰值效率达到 91.7%。有源钳位拓扑可实现自驱动同步整流器 (SR) FET,降低成本和次级侧的复杂程度。此设计还使用了目录中的变压器和电感器。

特性
  • 采用 24V 输入且负载从 30% 切换到 100% 时,效率达 90%
  • 自驱动 SR(采用 CSD17579Q3A MOSFET)可降低驱动的复杂程度
  • 使用目录中的磁性组件实现具有成本效益的解决方案
输出电压选项 PMP22509.1
Vin (Min) (V) 18
Vin (Max) (V) 36
Vout (Nom) (V) 5
Iout (Max) (A) 5
Output Power (W) 25
Isolated/Non-Isolated Isolated
Input Type DC
Topology Forward- Active Clamp
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDT189.PDF (2211 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDM625.PDF (175 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDM626.PDF (94 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDM627.PDF (159 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDM629.ZIP (1021 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCFV6.ZIP (599 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDM628.PDF (681 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

MOSFET

CSD17579Q3A采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
MOSFET

CSD19537Q3采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
交流/直流和直流/直流控制器(外部 FET)

UCC2897A具有 P 沟道钳位 FET 和线路过压保护的 110V 有源钳位电流模式 PWM 控制器

数据表: PDF | HTML
并联电压基准

TL431LI具有经优化的基准电流的可调节精密分流稳压器(引脚布局:KRA)

数据表: PDF | HTML

技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 测试报告 18- to 36-VDC Input, 25-W DC-DC Active Clamp Forward Reference Design 2020年 6月 18日

支持与培训

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