WOLSP-3P-SIC-MOSFET
Wolfspeed combines its SiC MOSFET's with TI's C2000 real-time MCUs to create system solutions
WOLSP-3P-SIC-MOSFET
概要
Cree|Wolfspeed は、ワイド・バンドギャップ半導体テクノロジー分野で世界をリードしています。Wolfspeed のシリコン・カーバイド (SiC) 製品は、業界最小のオン状態抵抗 (オン抵抗) に加えて小さいスイッチング損失を達成しており、高効率と高い電力密度を実現しやすくなります。Wolfspeed の各種 SiC デバイスは従来のシリコン部品を大幅に上回る性能を達成しており、産業用、エネルギー、車載、コンシューマの各市場で、効率と信頼性に関する新しい基準を設定します。
Cree|Wolfspeed は、自社の最先端の SiC MOSFET とモジュール・テクノロジーを、TI の C2000(TM) リアルタイム・マイコン (マイクロコントローラ)、アナログ電源、およびシグナル・チェーンの各製品と組み合わせ、比類のないシステム・ソリューションを製作しています。アプリケーションのサポートと各種リファレンス・デザインとの組み合わせについては、TI の E2E フォーラムをご覧になるか、Wolfspeed の SiC エキスパートにお問い合わせください。
特長
Cree|Wolfspeed は、インバータ、パワー・コンバータ、チャージャなど、電源システムのうち最も需要の大きいシリコン・カーバイド (SiC) デバイスの一部に関して、開発時間の短縮につながる各種リファレンス・デザインを公開済みです。これらのリファレンス・デザインを補完するアプリケーション・ノート、ユーザー・ガイド、設計ファイルも公開済みであり、クラス最高の電力密度、性能、効率を達成する、堅牢で高信頼性のシステムを設計者の皆様が製作するのに役立ちます。
Cree|Wolfspeed の MOSFET を採用すると、スイッチング周波数の高速化と、インダクタ、コンデンサ、フィルタ、トランスのような各種部品のサイズ小型化を実現できます。Cree|Wolfspeed の SiC MOSFET は、従来のシリコン・デバイスを置き換え、ブロッキング電圧とアバランシェ能力の向上を通じて、スイッチング損失と導通損失の低減に貢献します。
Cree|Wolfspeed は、SiC 材料からパッケージまでの垂直統合に伴う利点を具体化できるので、サプライ・チェーン全体に対して、業界をリードする SiC テクノロジーを提供することができます。Cree|Wolfspeed の各種パワー・モジュールの目標は、クラス最高の SiC 性能発揮に役立つパッケージを通じて、お客様各位のシステム設計要件を満たすことです。Cree|Wolfspeed は、2 つの個別製品カテゴリを提供しており、業界標準のフットプリントおよび最適化済みフットプリントという、お客様の複数の価値向上に貢献します。
C2000 リアルタイム・マイコン
購入と開発の開始
CRD-22AD12N — F2837x C2000 リアルタイム・マイクロコントローラ使用の 22kW 双方向、高効率、アクティブ・フロント・エンド (AFE) コンバータ
CRD-06600FF065N — F2837x C2000 リアルタイム・マイクロコントローラ使用の 6.6 kW 高電力密度双方向 EV オンボード・チャージャ
技術資料
種類 | タイトル | 英語版のダウンロード | 日付 | |||
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アプリケーション・ノート | Power Topologies in Electric Vehicle Charging Stations | PDF | HTML | 2020年 9月 16日 | |||
ホワイト・ペーパー | Meeting the demand for more efficient and powerful onboard chargers (Rev. A) | 2019年 2月 4日 |