ZHCAAD4C
June 2021 – November 2021
CD4052B
,
TS3A225E
,
TS3A44159
商标
1
引言
2
半导体开关
2.1
NMOS 开关
2.2
PMOS 开关
3
信号开关基本结构
3.1
NMOS 串联开关
3.2
NMOS/PMOS 并联开关
3.3
带有电荷泵的 NMOS 串联开关
4
数字开关应用中的关键问题
4.1
电源和控制电压要求
4.2
轨至轨运行
4.3
下冲
4.4
ron
4.5
Cio(off)
4.6
Cio(on)
4.7
Ci(控制输入电容)
4.8
泄漏电流
4.9
启用和禁用延迟和传播延迟
4.10
部分断电
4.11
电压转换
5
信号开关系列
5.1
CBT-C 系列
5.1.1
CBT-C 系列特性
5.1.1.1
VO 和 VI
5.1.1.2
ron 和 VI
5.1.1.3
下冲保护
5.1.2
CBT-C 系列应用
5.1.2.1
总线隔离
5.2
CBTLV 系列
5.2.1
CBTLV 系列特性
5.3
CB3Q 系列
5.3.1
CB3Q 系列特性
5.3.1.1
VO 和 VI
5.3.1.2
ron 和 VI
5.3.1.3
高频运行
5.3.1.4
输出偏斜
5.3.1.5
频率响应
5.3.1.6
相邻通道串扰
5.3.2
CB3Q 系列应用
5.3.2.1
USB 应用中的多路复用器
5.4
CB3T 系列
5.4.1
CB3T 系列特性
5.4.1.1
VO 和 VI
5.4.1.2
ron 和 VI
5.4.1.3
高频运行
5.4.2
CB3T 系列应用
5.4.2.1
笔记本电脑中外部监视器终端的电压转换
6
应用
6.1
多路复用 USB 外围设备
6.2
多路复用以太网
6.3
笔记本电脑扩展坞
7
结论
8
参考文献
9
修订历史记录
A 测试测量电路
A.1 ron 测量设置
A.2 VO 和 VI 特性的测量设置
A.3 电压-时间波形测量(开关开启)
A.4 电压-时间波形测量(开关关断)
A.5 输出偏斜测量
A.6 下冲测量的仿真设置
A.7 用于衰减测量的实验室设置
A.8 用于关断隔离测量的实验室设置
A.9 用于串扰测量的实验室设置
商标
Other TMs