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SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 满足 VDA320 隔离要求
  • 50Mbps 数据速率
  • 稳健可靠的隔离栅:
    • 在 1500 V RMS 工作电压下具有超长的寿命
    • 隔离等级高达 5000 V RMS
    • 浪涌能力高达 10kV
    • CMTI 典型值为 ±150 kV/µs
  • 宽电源电压范围:1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出 高电平 (ISO676x -Q1) 和 低电平 (ISO676xF -Q1) 选项
  • 1Mbps 时的每通道电流典型值为 1.6mA
  • 低传播延迟:11ns(典型值)
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
    • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
    • 低辐射
  • 宽体 SOIC (DW-16) 封装
  • 安全相关认证:
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 认证
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 满足 VDA320 隔离要求
  • 50Mbps 数据速率
  • 稳健可靠的隔离栅:
    • 在 1500 V RMS 工作电压下具有超长的寿命
    • 隔离等级高达 5000 V RMS
    • 浪涌能力高达 10kV
    • CMTI 典型值为 ±150 kV/µs
  • 宽电源电压范围:1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出 高电平 (ISO676x -Q1) 和 低电平 (ISO676xF -Q1) 选项
  • 1Mbps 时的每通道电流典型值为 1.6mA
  • 低传播延迟:11ns(典型值)
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
    • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
    • 低辐射
  • 宽体 SOIC (DW-16) 封装
  • 安全相关认证:
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 认证

ISO676x -Q1 器件是高性能六通道数字隔离器,可提供符合 UL 1577 的 5000 V RMS 隔离额定值,非常适合具有此类需求的成本敏感型应用。这些器件还通过了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 认证。

在隔离 CMOS 或者 LVCMOS 数字 I/O 的同时, ISO676x-Q1 器件可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由 TI 的双电容二氧化硅 (SiO 2) 绝缘栅相隔离。ISO676x 系列器件采用所有可能的引脚配置,因此所有六个通道都可以处于同一方向,或者一个、两个或三个通道处于反向,而其余通道处于正向。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀 F 的器件默认输出 高电平,带后缀 F 的器件默认输出 低电平。更多详细信息,请参见器件功能模式部分。

这些器件与隔离式电源结合使用,有助于防止 CAN 和 LIN 等数据总线上的噪声电流损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术, ISO676x-Q1 器件的电磁兼容性得到了显著增强,可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。 ISO676x-Q1 系列器件采用 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 封装,是对前几代器件的引脚到引脚的升级。

ISO676x -Q1 器件是高性能六通道数字隔离器,可提供符合 UL 1577 的 5000 V RMS 隔离额定值,非常适合具有此类需求的成本敏感型应用。这些器件还通过了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 认证。

在隔离 CMOS 或者 LVCMOS 数字 I/O 的同时, ISO676x-Q1 器件可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由 TI 的双电容二氧化硅 (SiO 2) 绝缘栅相隔离。ISO676x 系列器件采用所有可能的引脚配置,因此所有六个通道都可以处于同一方向,或者一个、两个或三个通道处于反向,而其余通道处于正向。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀 F 的器件默认输出 高电平,带后缀 F 的器件默认输出 低电平。更多详细信息,请参见器件功能模式部分。

这些器件与隔离式电源结合使用,有助于防止 CAN 和 LIN 等数据总线上的噪声电流损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术, ISO676x-Q1 器件的电磁兼容性得到了显著增强,可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。 ISO676x-Q1 系列器件采用 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 封装,是对前几代器件的引脚到引脚的升级。

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* 数据表 EMC 性能优异的 ISO676x-Q1 通用六通道自动增强型数字隔离器 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2023年 6月 1日
证书 TUV Certificate for Isolation Devices (Rev. M) 2026年 5月 7日
证书 UL Certificate of Compliance File E181974 Vol 4 Sec 6 (Rev. S) 2026年 5月 7日
证书 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. AA) 2026年 3月 10日
证书 CQC Certificate for ISOxxDWx (Rev. K) 2025年 8月 18日
证书 CSA Certificate for ISO676xDW (Rev. A) 2023年 2月 15日
功能安全信息 ISO6761/ISO6761-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA PDF | HTML 2022年 3月 9日
应用手册 所选封装材料的热学和电学性质 2008年 10月 16日

设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

DIGI-ISO-EVM — 通用数字隔离器评估模块

DIGI-ISO-EVM 是一个评估模块 (EVM),用于评估 TI 采用以下五种不同封装的任何单通道、双通道、三通道、四通道或六通道数字隔离器器件:8 引脚窄体 SOIC (D)、8 引脚宽体 SOIC (DWV)、16 引脚宽体 SOIC (DW)、16 引脚超宽体 SOIC (DWW) 和 16 引脚 QSOP (DBQ) 封装。此 EVM 具有足够的 Berg 引脚选项,支持使用超少的外部元件来评估相应器件。

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SOIC (DW) 16 Ultra Librarian

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