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LM74700-Q1

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3.2V 至 65V、80uA IQ 汽车理想二极管控制器

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LM74700D-Q1 正在供货 3.2V 至 70V、80µA 汽车级反向电池保护理想二极管控制器 Newer device with higher absolute maximum rating and SOIC package

LM74700-Q1

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产品详情

Vin (min) (V) 3.2 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Enable, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.08 Iq (max) (mA) 0.13 TI functional safety category Functional Safety-Capable FET External single FET IGate source (typ) (µA) 11000 IGate sink (typ) (mA) 2370 IGate pulsed (typ) (A) 2.3 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -11 Design support EVM Rating Automotive Imax (A) 250 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.001 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
Vin (min) (V) 3.2 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Enable, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.08 Iq (max) (mA) 0.13 TI functional safety category Functional Safety-Capable FET External single FET IGate source (typ) (µA) 11000 IGate sink (typ) (mA) 2370 IGate pulsed (typ) (A) 2.3 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -11 Design support EVM Rating Automotive Imax (A) 250 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.001 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
SOT-23 (DBV) 6 8.12 mm² 2.9 x 2.8 SOT-23-THN (DDF) 8 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 提供功能安全
  • 3.2V 至 65V 输入范围（3.9V 启动）
  • -65V 反向电压额定值
  • 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵
  • 20mV 阳极至阴极正向压降调节
  • 使能引脚特性
  • 1µA 关断电流（EN = 低电平）
  • 80µA 工作静态电流（EN = 高电平）
  • 2.3A 峰值栅极关断电流
  • 快速响应反向电流阻断： 小于 0.75µs
  • 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用 6 引脚和 8 引脚 SOT-23 封装 2.90mm × 1.60mm
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 提供功能安全
  • 3.2V 至 65V 输入范围（3.9V 启动）
  • -65V 反向电压额定值
  • 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵
  • 20mV 阳极至阴极正向压降调节
  • 使能引脚特性
  • 1µA 关断电流（EN = 低电平）
  • 80µA 工作静态电流（EN = 高电平）
  • 2.3A 峰值栅极关断电流
  • 快速响应反向电流阻断： 小于 0.75µs
  • 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用 6 引脚和 8 引脚 SOT-23 封装 2.90mm × 1.60mm

LM74700-Q1 是一款符合汽车 AEC Q100 标准的理想二极管控制器，与外部 N 沟道 MOSFET 配合工作，可作为理想二极管整流器利用 20mV 正向压降实现低损耗反向保护。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压（例如：12V、24V 和 48V 汽车电池系统）的控制。3.2V 输入电压支持适用于汽车系统中严苛的冷启动要求。该器件可耐受低至 –65V 的负电源电压，并提供负载保护。

该器件通过控制 MOSFET 的栅极将正向压降调节至 20mV。该电流调节方案可在反向电流事件中支持平稳关机，并确保零直流反向电流。该器件能够快速 (< 0.75µs) 响应反向电流阻断，因此适用于在 ISO7637 脉冲测试以及电源故障和输入微短路条件下要求保持输出电压的系统。

LM74700-Q1 控制器可提供适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器。LM74700-Q1 的高电压额定值有助于简化用于汽车 ISO7637 保护的系统设计。当使能引脚处于低电平时，控制器关闭，消耗大约 1µA 的电流。

LM74700-Q1 是一款符合汽车 AEC Q100 标准的理想二极管控制器，与外部 N 沟道 MOSFET 配合工作，可作为理想二极管整流器利用 20mV 正向压降实现低损耗反向保护。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压（例如：12V、24V 和 48V 汽车电池系统）的控制。3.2V 输入电压支持适用于汽车系统中严苛的冷启动要求。该器件可耐受低至 –65V 的负电源电压，并提供负载保护。

该器件通过控制 MOSFET 的栅极将正向压降调节至 20mV。该电流调节方案可在反向电流事件中支持平稳关机，并确保零直流反向电流。该器件能够快速 (< 0.75µs) 响应反向电流阻断，因此适用于在 ISO7637 脉冲测试以及电源故障和输入微短路条件下要求保持输出电压的系统。

LM74700-Q1 控制器可提供适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器。LM74700-Q1 的高电压额定值有助于简化用于汽车 ISO7637 保护的系统设计。当使能引脚处于低电平时，控制器关闭，消耗大约 1µA 的电流。
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应用手册 Basics of Power Switches (Rev. A) PDF | HTML 2019年 4月 26日
用户指南 LM74700 Evaluation Module (Rev. A) 2019年 2月 11日

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LM74700DDFEVM — LM74700-Q1 3.2V 至 65V、80μA IQ 汽车类理想二极管控制器（DDF 封装）评估模块

LM74700DDFEVM 可帮助设计人员评估 LM74700-Q1 的运行情况和性能，LM74700-Q1 是 3.2V 至 65V、80μA IQ 汽车类二极管控制器（采用 DDF 封装）。此评估模块演示了 N 沟道功率 MOSFET 如何能够仿真具有低 IQ 和 IC 低漏电流的超低正向电压二极管。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
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评估板

LM74700EVM — LM74700 评估模块

LM74700EVM 可帮助设计人员评估 LM74700-Q1 智能二极管控制器的运行情况和性能。此评估模块演示了 N 沟道功率 MOSFET 如何能够仿真具有低 IQ 和 IC 低漏电流的超低正向电压二极管。
用户指南: PDF
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仿真模型

LM74700-Q1 PSpice Transient Model

SNOM667.ZIP (64 KB) - PSpice Model
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