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SN54SC6T14-SEP

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Radiation-tolerant, 6 bit, inverting fixed-direction level translator with Schmitt-trigger inputs

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SN54SC6T14-SEP

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Bits (#) 6 Data rate (max) (Mbps) 150 Topology Push-Pull Vin (min) (V) 1.2 Vin (max) (V) 5.5 Applications GPIO Features Balanced outputs, Over-voltage tolerant inputs, Single supply Prop delay (ns) 12.5 Technology family SCxT Supply current (max) (mA) 0.093 Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
Bits (#) 6 Data rate (max) (Mbps) 150 Topology Push-Pull Vin (min) (V) 1.2 Vin (max) (V) 5.5 Applications GPIO Features Balanced outputs, Over-voltage tolerant inputs, Single supply Prop delay (ns) 12.5 Technology family SCxT Supply current (max) (mA) 0.093 Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
TSSOP (PW) 14 32 mm² (5 mm × 6.4 mm)
  • 提供供应商项目图，VID V62/24618
  • 电离辐射总剂量额定值为 30krad(Si)
    • 每个晶圆批次的辐射批次验收测试电离辐射总剂量 (TID RLAT) 额定值高达 30krad (Si)
  • 单粒子效应 (SEE) 特性：
    • 单粒子锁定 (SEL) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度 = 43MeV-cm2/mg
    • 单粒子瞬变 (SET) 额定值为 43MeV-cm2/mg
  • 1.2V 至 5.5V 的宽工作电压范围
  • 5/3.3/2.5/1.8/1.2V VCC 单电源电压转换门
    • TTL 兼容输入：
      • 升压转换：
        • 1.8V – 输入为 1.2V
        • 2.5V – 输入为 1.8V
        • 3.3V – 输入为 1.8V、2.5V
        • 5.0V – 输入为 2.5V、3.3V
      • 降压转换：

        • 1.2V – 输入为 1.8V、2.5V、3.3V、5.0V

        • 1.8V – 输入为 2.5V、3.3V、5.0V
        • 2.5V – 输入为 3.3V、5.0V
        • 3.3V – 输入为 5.0V
  • 5.5V 容限输入引脚
  • 5V 时，输出驱动高达 25mA
  • 闩锁性能超过 250mA，符合 JESD 17 规范
  • 增强型航天塑料 (SEP)
    • 受控基线
    • 金键合线
    • NiPdAu 铅涂层
    • 一个封装测试厂
    • 一个制造基地
    • 军用级（-55°C 到 125°C）温度范围
    • 延长了产品生命周期
    • 产品可追溯性
    • 符合 NASAs ASTM E595 释气规格要求
  • 提供供应商项目图，VID V62/24618
  • 电离辐射总剂量额定值为 30krad(Si)
    • 每个晶圆批次的辐射批次验收测试电离辐射总剂量 (TID RLAT) 额定值高达 30krad (Si)
  • 单粒子效应 (SEE) 特性：
    • 单粒子锁定 (SEL) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度 = 43MeV-cm2/mg
    • 单粒子瞬变 (SET) 额定值为 43MeV-cm2/mg
  • 1.2V 至 5.5V 的宽工作电压范围
  • 5/3.3/2.5/1.8/1.2V VCC 单电源电压转换门
    • TTL 兼容输入：
      • 升压转换：
        • 1.8V – 输入为 1.2V
        • 2.5V – 输入为 1.8V
        • 3.3V – 输入为 1.8V、2.5V
        • 5.0V – 输入为 2.5V、3.3V
      • 降压转换：

        • 1.2V – 输入为 1.8V、2.5V、3.3V、5.0V

        • 1.8V – 输入为 2.5V、3.3V、5.0V
        • 2.5V – 输入为 3.3V、5.0V
        • 3.3V – 输入为 5.0V
  • 5.5V 容限输入引脚
  • 5V 时，输出驱动高达 25mA
  • 闩锁性能超过 250mA，符合 JESD 17 规范
  • 增强型航天塑料 (SEP)
    • 受控基线
    • 金键合线
    • NiPdAu 铅涂层
    • 一个封装测试厂
    • 一个制造基地
    • 军用级（-55°C 到 125°C）温度范围
    • 延长了产品生命周期
    • 产品可追溯性
    • 符合 NASAs ASTM E595 释气规格要求

SN54SC6T14-SEP 器件包含六个具有施密特触发输入的独立反相器且支持扩展电压运行，可实现电平转换。每个逻辑门以正逻辑执行布尔函数 Y = A。输出电平以电源电压 (VCC) 为基准，并支持 1.2V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5V CMOS 电平。

该输入经设计，具有较低阈值电路，支持较低电压 CMOS 输入的升压转换（例如 1.2V 输入转换为 1.8V 输出或 1.8V 输入转换为 3.3V 输出）。此外，5V 容限输入引脚可实现降压转换（例如 3.3V 至 2.5V 输出）。

SN54SC6T14-SEP 器件包含六个具有施密特触发输入的独立反相器且支持扩展电压运行，可实现电平转换。每个逻辑门以正逻辑执行布尔函数 Y = A。输出电平以电源电压 (VCC) 为基准，并支持 1.2V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5V CMOS 电平。

该输入经设计，具有较低阈值电路，支持较低电压 CMOS 输入的升压转换（例如 1.2V 输入转换为 1.8V 输出或 1.8V 输入转换为 3.3V 输出）。此外，5V 容限输入引脚可实现降压转换（例如 3.3V 至 2.5V 输出）。
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* 数据表 SN54SC6T14-SEP 具有集成转换功能的抗辐射六通道施密特触发反相器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2024-1-22
* 辐射与可靠性报告 SN54SC6T14-SEP Production Flow and Reliability Report PDF | HTML 2024-4-10
* 辐射与可靠性报告 SN54SC6T07-SEP Single Event Effects Radiation Report PDF | HTML 2024-2-21
* 辐射与可靠性报告 SN54SC6T14-SEP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report PDF | HTML 2024-2-12
应用手册 原理图检查清单 - 使用自动双向转换器进行设计的指南 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2024-12-3
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应用简报 TI 增强型航天塑料逻辑器件概述及在近地轨道卫星平台中的应 用 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2024-9-11
应用手册 Understanding Transient Drive Strength vs. DC Drive Strength in Level-Shifters (Rev. A) PDF | HTML 2024-7-3

设计与开发

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评估板

14-24-LOGIC-EVM — 采用 14 引脚至 24 引脚 D、DB、DGV、DW、DYY、NS 和 PW 封装的逻辑产品通用评估模块

14-24-LOGIC-EVM 评估模块 (EVM) 设计用于支持采用 14 引脚至 24 引脚 D、DW、DB、NS、PW、DYY 或 DGV 封装的任何逻辑器件。

用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
有库存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
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参考设计

TIDA-050088 — 适用于 Versal AI Edge 的抗辐射电源参考设计

这是一款面向 AMD Versal™ AI Edge XQRVE2302 的抗辐射电源架构参考设计。Versal Edge 是一款适用于太空应用的自适应片上系统 (SoC)，能够以小巧外形实现高性能。要在太空环境中充分发挥该设计的性能，稳健的电力输送至关重要。该电源设计采用多个器件为各电源轨供电，并配备序列发生器以实现电源轨的有序启动与监控。
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
TSSOP (PW) 14 Ultra Librarian
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