TPS51200-EP
- 输入电压:支持 2.5V 和 3.3V 电源轨
- VLDOIN 电压范围:1.1V 至 3.5V
- 具有压降补偿功能的灌电流和拉电流终端稳压器
- 所需最小输出电容为 20μF(通常为 3 × 10μF MLCC),用于存储器终端 应用 (DDR)
- 用于监视输出稳压的 PGOOD
- EN 输入
- REFIN 输入允许直接或通过电阻分压器灵活进行输入跟踪
- 远程感测 (VOSNS)
- ±10mA 缓冲基准 (REFOUT)
- 内置软启动,欠压锁定 (UVLO) 和过流限制 (OCL)
- 热关断
- 符合 DDR 和 DDR2 JEDEC 规范
- 支持 DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 应用
- 带有散热焊盘的 10 引脚超薄小外形尺寸无引线 (VSON) 封装
- 支持国防、航天和医疗 应用
- 受控基线
- 一个组装和测试场所
- 一个制造场所
- 支持军用温度范围(-55°C 至 125°C)
- 延长的产品使用寿命周期
- 延长的产品变更通知
- 产品可追溯性
应用范围
- 用于 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 的存储器终端稳压器
- 笔记本、台式机和服务器
- 电信和数据通信
- 基站
- 液晶 (LCD) 电视和等离子 (PDP) 电视
- 复印机和打印机
- 机顶盒
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TPS51200-EP 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器,专用于空间问题是重要考量因素的低输入电压、低成本、低噪声系统。
TPS51200-EP 能够保持快速瞬态响应,最低仅需 20μF 输出电容。TPS51200-EP 支持远程感测功能并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线的所有电源要求。
此外,TPS51200-EP 还提供一个开漏 PGOOD 信号监测输出稳压,提供一个 EN 信号在 S3(挂起至 RA4M)期间针对 DDR 进行 VTT 放电。
TPS51200-EP 采用带散热焊盘的高效散热型 10 引脚超薄小外形尺寸无引线 (VSON) 封装,无铅且绿色环保。其额定工作温度范围为 -55°C 至 +125°C。
技术文档
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查看全部 3 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
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* | 数据表 | TPS51200-EP 灌/拉 DDR 终端稳压器 数据表 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2016年 8月 11日 |
* | VID | TPS51200-EP VID V6216610 | 2018年 3月 27日 | |||
* | 辐射与可靠性报告 | TPS51200MDRCTEP Reliability Report | 2016年 9月 21日 |
设计和开发
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评估板
TPS51200EVM — TPS51200 灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器
TPS51200EVM 评估板 HPA322A 旨在评估 TI 的低成本 DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 VTT 终端稳压器 TPS51200 的性能特性。TPS51200 旨在为 DDR 存储器提供适当的终止电压和 10mA 缓冲基准电压,该存储器涵盖 DDR (2.5V/1.25V)、DDR2 (1.8V/0.9V)、DDR3 (1.5V/0.75V)、LP DDR3 (1.2V/0.6V) 规格,并具有超少的外部元件。
用户指南: PDF
仿真模型
TPS51200 TINA-TI Start-Up Transient Reference Design
SLUM148.TSC (127 KB) - TINA-TI Reference Design
封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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VSON (DRC) | 10 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点
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