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线性和低压降 (LDO) 稳压器

TPS732-Q1

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具有反向电流保护功能的汽车类 250mA、高精度、低压降稳压器

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产品详情

Output options Adjustable Output, Fixed Output Iout (max) (A) 0.25 Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.7 Vout (max) (V) 5.4 Vout (min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.8, 5 Rating Automotive Noise (µVrms) 30 PSRR at 100 KHz (dB) 16 Iq (typ) (mA) 0.4 Thermal resistance θJA (°C/W) 48, 83.8, 179.0 TI functional safety category Functional Safety-Capable Load capacitance (min) (µF) 0 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Foldback Overcurrent protection, Reverse Current Protection Accuracy (%) 1 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 40 Operating temperature range (°C) -40 to 125
Output options Adjustable Output, Fixed Output Iout (max) (A) 0.25 Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.7 Vout (max) (V) 5.4 Vout (min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.8, 5 Rating Automotive Noise (µVrms) 30 PSRR at 100 KHz (dB) 16 Iq (typ) (mA) 0.4 Thermal resistance θJA (°C/W) 48, 83.8, 179.0 TI functional safety category Functional Safety-Capable Load capacitance (min) (µF) 0 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Foldback Overcurrent protection, Reverse Current Protection Accuracy (%) 1 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 40 Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOT-223 (DCQ) 6 45.89 mm² 6.5 x 7.06 SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm² 2.9 x 2.8 VSON (DRB) 8 9 mm² 3 x 3
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：
    • 温度等级 0：–40°C 至 150°C，TA
    • 器件 HBM 分类等级 2
    • 器件 CDM 分类等级 C4B
    • 器件 MM 分类等级 M2
  • 不借助输出电容器或者任何电容值或类型的电容器即可实现稳定
  • 输入电压范围：1.7V 至 5.5V
  • 超低压降电压：250mA 时典型值为 40mV
  • 无论是否使用可选输出电容器，均可实现出色的负载瞬态响应
  • NMOS 拓扑可提供低反向漏电流
  • 低噪声：30µVRMS 典型值（10kHz 至 100kHz）
  • 初始精度：0.5%
  • 总体精度（包括线路、负载和温度精度）为 1%
  • 关断模式下 IQ 最大值小于 1µA
  • 热关断和指定最小和最大电流限制保护
  • 提供了多个输出电压版本：
    • 1.2V、1.5V、1.6V、1.8V、2.5V、3V、3.3V 和 5V 的固定输出电压
    • 1.2V 至 5.5V 可调节输出
    • 可提供定制输出
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：
    • 温度等级 0：–40°C 至 150°C，TA
    • 器件 HBM 分类等级 2
    • 器件 CDM 分类等级 C4B
    • 器件 MM 分类等级 M2
  • 不借助输出电容器或者任何电容值或类型的电容器即可实现稳定
  • 输入电压范围：1.7V 至 5.5V
  • 超低压降电压：250mA 时典型值为 40mV
  • 无论是否使用可选输出电容器，均可实现出色的负载瞬态响应
  • NMOS 拓扑可提供低反向漏电流
  • 低噪声：30µVRMS 典型值（10kHz 至 100kHz）
  • 初始精度：0.5%
  • 总体精度（包括线路、负载和温度精度）为 1%
  • 关断模式下 IQ 最大值小于 1µA
  • 热关断和指定最小和最大电流限制保护
  • 提供了多个输出电压版本：
    • 1.2V、1.5V、1.6V、1.8V、2.5V、3V、3.3V 和 5V 的固定输出电压
    • 1.2V 至 5.5V 可调节输出
    • 可提供定制输出

TPS732-Q1 低压降 (LDO) 稳压器采用 san NMOS 拓扑，其中在电压跟随器配置包含一个 NMOS 导通瞬态。这个拓扑结构在使用具有低等效串联电阻 (ESR) 的输出电容器时保持稳定，甚至可实现无电容器运行。该拓扑还提供高反向阻断（低反向电流）和接地引脚电流，该电流在所有输出电流上几乎保持恒定。

TPS732-Q1 使用一个先进的双极互补金属氧化物半导体 (BiCMOS) 工艺来在传送低压降电压和低接地引脚电流的同时产生高精度。未启用时，电流消耗低于 1µA，非常适合于便携式应用。极低的输出噪声（0.1µF CNR 时为 30µVRMS）使得此器件非常适合为 VCO 供电。该器件受到热关断和折返电流限制的保护。

TPS732-Q1 低压降 (LDO) 稳压器采用 san NMOS 拓扑，其中在电压跟随器配置包含一个 NMOS 导通瞬态。这个拓扑结构在使用具有低等效串联电阻 (ESR) 的输出电容器时保持稳定，甚至可实现无电容器运行。该拓扑还提供高反向阻断（低反向电流）和接地引脚电流，该电流在所有输出电流上几乎保持恒定。

TPS732-Q1 使用一个先进的双极互补金属氧化物半导体 (BiCMOS) 工艺来在传送低压降电压和低接地引脚电流的同时产生高精度。未启用时，电流消耗低于 1µA，非常适合于便携式应用。极低的输出噪声（0.1µF CNR 时为 30µVRMS）使得此器件非常适合为 VCO 供电。该器件受到热关断和折返电流限制的保护。
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用户指南 DEM-SOT223LDO Demonstration Fixture 2003年 10月 15日
更多文献资料 DMOS Delivers Dramatic Performance Gains to LDO Regulators (EDN mag) 2001年 2月 14日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

DEM-SOT23LDO — 采用 5 条或 6 条引线 SOT23 (DBV) 封装与大多数正输出 LDO 稳压器兼容的 DEM-SOT23LDO

用户指南: PDF
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评估板

TPS73201DRBEVM-518 — TPS73201DRBEVM-518 评估模块

TPS73201DRBEVM-518 评估模块是一块完全组装且经过测试的电路板，用于对采用 DRB (3x3mm SON) 封装的 TPS73201 低压降 (LDO) 稳压器进行评估。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

TPS73201 PSpice Transient Model (Rev. A)

SBVM171A.ZIP (21 KB) - PSpice Model
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仿真模型

TPS73250 PSpice Transient Model

SBVM363.ZIP (21 KB) - PSpice Model
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仿真模型

TPS73250 TINA-TI Transient Reference Design

SBVM366.TSC (49 KB) - TINA-TI Reference Design
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TPS73250 TINA-TI Transient Spice Model

SBVM365.ZIP (7 KB) - TINA-TI Spice Model
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOT-223 (DCQ) 6 Ultra Librarian
SOT-23 (DBV) 5 Ultra Librarian
VSON (DRB) 8 Ultra Librarian
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订购和质量

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  • 引脚镀层/焊球材料
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  • 持续可靠性监测
包含信息：
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  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

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