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设计和开发

LMG3410EVM-018

LMG3410R050 600V 50mΩ GaN 半桥子卡

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LMG3410EVM-018

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概述

LMG3410EVM-018 将两个具有集成式驱动器和保护功能的 LMG3410R050 600-V GaN FET 配置到了一个半桥中。此 EVM 随附所有必要的辅助外围电路，旨在与大型系统配合使用。

特性
  • 输入电压高达 600V
  • 用于评估 LMG3410R050 性能的简单开环设计
  • 用于 PWM 信号的单个板载 PWM 输入（死区时间为 50ns）
  • 用于使用示波器探针（具有短接地弹簧探针）进行逻辑和功率级测量的便利探测点
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG3410R050 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 50mΩ GaN
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Evaluating LMG3410R050 GaN FET power stage

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* EVM 用户指南 Using the LMG341xEVM-018 Half-bridge and LMG34XX-BB--EVM breakout board EVM (Rev. A) 2019年 3月 8日
数据表 LMG341xR050 600-V 50-mΩ Integrated GaN Fet Power Stage With Overcurrent Protection 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 2020年 1月 16日
数据表 具有过流保护功能的 LMG341xR050 600V 50mΩ 集成式 GaN 功率级 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 最新英语版本 (Rev.B) PDF | HTML 2019年 6月 24日
证书 LMG3410EVM-018 EU Declaration of Conformity (DoC) 2019年 1月 2日

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