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CSD88537ND

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采用 SO-8 封装的双路、15mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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产品详情

VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Dual Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 15 VGSTH typ (typ) (V) 3 QG (typ) (nC) 14 QGD (typ) (nC) 2.3 QGS (typ) (nC) 4.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 16 ID - package limited (A) 15 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Dual Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 15 VGSTH typ (typ) (V) 3 QG (typ) (nC) 14 QGD (typ) (nC) 2.3 QGS (typ) (nC) 4.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 16 ID - package limited (A) 15 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 雪崩额定值
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素

应用范围

  • 用于电机控制的半桥
  • 同步降压转换器
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 雪崩额定值
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素

应用范围

  • 用于电机控制的半桥
  • 同步降压转换器

这款双路小外形尺寸 (SO)-8，60V，12.5mΩ NexFET 功率 MOSFET 旨在用作低电流电机控制应用中的半桥。

顶视图

要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 60°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值
。最大 RθJL = 20°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

这款双路小外形尺寸 (SO)-8，60V，12.5mΩ NexFET 功率 MOSFET 旨在用作低电流电机控制应用中的半桥。

顶视图

要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 60°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值
。最大 RθJL = 20°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 CSD88537ND 双路 60V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2014年 9月 10日

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训