DRV8962-Q1
- 符合汽车应用要求的 AEC-Q100
- 温度等级 1：–40°C 至 +125°C，TA
- 功能安全型
- 可提供用于功能安全系统设计的文档
- 四通道半桥驱动器
- 独立控制每个半桥
- 4.5V 至 60V 工作电源电压范围
- 低 RDS(ON)：每个 FET 50mΩ（24V，25°C）
- 高电流容量：每路输出的电流高达 5A
-
可驱动各种类型的负载 -
- 多达四个螺线管或阀门
- 一个步进电机
- 两个有刷直流电机
- 一个或两个热电冷却器 (TEC)
- 一个三相无刷直流电机
- 一个三相永磁同步电机 (PMSM)
- 集成式电流检测和调节
- 高侧 MOSFET 的电流检测
- 每个半桥的检测输出 (IPROPI)
- 最大电流下的检测精度 ± 3.5 %
- 可选外部检测电阻
- 单独的逻辑电源电压 (VCC)
- 可编程输出下降/上升时间
- 可编程故障恢复方法
- 支持 1.8V、3.3V、5.0V 逻辑输入
- 低电流睡眠模式 (3µA)
- 保护特性
- VM 欠压锁定 (UVLO)
- 电荷泵欠压 (CPUV)
- 过流保护 (OCP)
- 热关断 (OTSD)
- 故障状态输出 (nFAULT)
DRV8962-Q1 是一款宽电压、高功率、四通道半桥驱动器，适用于各种汽车应用。该器件支持高达 60V 的电源电压，以及具有 50mΩ 导通电阻、每路输出能够支持高达 5A 电流的集成 MOSFET。
该器件可用于驱动最多四个螺线管或阀门、一个步进电机、两个有刷直流电机、一个 BLDC 或 PMSM 电机以及最多两个热电冷却器（珀耳帖元件）。输出级包括配置为四个独立半桥的 N 沟道功率 MOSFET、电荷泵、电流检测和调节电路、电流检测输出以及保护电路。
高侧 MOSFET 上的集成电流检测功能可让器件在负载从输出端接地时调节电流。利用可调外部电压基准 (VREF)，可设置调节电流限值。此外，该器件还提供四个比例电流输出引脚，每个引脚对应一个半桥高侧 FET。可选的外部检测电阻也可从 PGND 引脚连接到系统地。
该器件提供一种低功耗睡眠模式，可实现超低静态电流。提供的内部保护功能包括：电源欠压锁定、输出过流和器件过热。
技术文档
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查看全部 2 | 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | DRV8962-Q1：具有电流检测输出的 65V 四通道半桥驱动器，适用于 24V 和 48V 汽车应用 数据表 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2024年 11月 26日 |
| 应用手册 | 所选封装材料的热学和电学性质 | 2008年 10月 16日 |
设计和开发
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评估板
DRV8962EVM — DRV8962 具有电流检测输出的四路半桥电机驱动器评估模块
DRV8962 EVM 评估模块展示了 DRV8962DDWR 的特性和性能。
DRV8962 是一款四通道半桥驱动器，其工作电压范围为 4.5V 至 65V，每路输出为 5A，同时支持宽负载电流范围，适用于各种类型的负载。该器件集成了四个半桥输出功率级，该器件还集成了一个电荷泵稳压器，从而支持高效的高侧 N 沟道 MOSFET 和 100% 占空比运行。
该器件可由单一电源输入 (VM) 供电。另外，VCC 引脚可连接至第二个电源，为内部逻辑块供电。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| HTSSOP (DDW) | 44 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。