ISO7710-Q1
- 符合汽车应用 要求
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
- 器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 3A
- 器件 CDM ESD 分类等级 C6
- 信号传输速率:高达 100Mbps
- 宽电源电压范围:2.25V 至 5.5V
- 2.25V 至 5.5V 电平转换
- 默认输出高电平 和低电平 选项
- 低功耗,
1Mbps 时的电流典型值为 1.7mA - 低传播延迟:典型值为 11ns
(由 5V 电源供电) - 高 CMTI:±100kV/µs(典型值)
- 优异的电磁兼容性 (EMC)
- 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
- 低辐射
- 隔离栅寿命:> 40 年
- 宽体小外形尺寸集成电路 (SOIC) (DW-16) 和窄体小外形尺寸集成电路 (SOIC) (D-8) 封装选项
- 安全及管理批准:
- VDE 增强型隔离,符合 DIN V VDE
V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 标准 - UL 1577 组件认证计划
- CSA 组件验收通知
5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准 - 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
- 符合 EN 60950-1 和 EN 61010-1 的 TUV 认证
- 完成 DW-16 封装的 VDE、UL、CSA 和 TUV 认证;已规划其他所有认证
- VDE 增强型隔离,符合 DIN V VDE
ISO7710-Q1 器件是一款高性能单通道数字隔离器,可提供符合 UL 1577 的 5000VRMS(DW 封装)和 3000VRMS(D 封装)隔离额定值。此器件还通过了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 认证。
在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时,ISO7710-Q1 器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。隔离通道具有逻辑输入和输出缓冲器,二者通过二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀 F 的器件默认输出高电平,带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参见。
与隔离式电源结合使用时,该器件有助于防止数据总线或者其他电路中的噪声电流进入本地接地,进而干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术,ISO7710-Q1 器件的电磁兼容性得到了显著增强,可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。ISO7710-Q1 器件可提供 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 和 8 引脚 SOIC 窄体 (D) 封装。
技术文档
设计和开发
如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。
DIGI-ISO-EVM — 通用数字隔离器评估模块
DIGI-ISO-EVM 是一个评估模块 (EVM),用于评估 TI 采用以下五种不同封装的任何单通道、双通道、三通道、四通道或六通道数字隔离器器件:8 引脚窄体 SOIC (D)、8 引脚宽体 SOIC (DWV)、16 引脚宽体 SOIC (DW)、16 引脚超宽体 SOIC (DWW) 和 16 引脚 QSOP (DBQ) 封装。此 EVM 具有足够的 Berg 引脚选项,支持使用超少的外部元件来评估相应器件。
ISO7721DEVM — EMC 性能优异的 D 封装 ISO7721 高速双通道数字隔离器评估模块
ISO7741EVM — EMC 性能优异的 ISO7741 高速四通道数字隔离器评估模块
TIDA-01543 — 具有过流检测功能且适用于牵引逆变器的隔离式电流检测参考设计 (±300A)
封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
---|---|---|
SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
SOIC (DW) | 16 | Ultra Librarian |
订购和质量
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
- 制造厂地点
- 封装厂地点
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。