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ESD 保护二极管

TPD1E10B09-Q1

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采用 0402 封装的汽车类 10pF、±9V、±20kV ESD 保护二极管

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TPD1E10B09-Q1

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产品详情

Package name DFN1006 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 90 Vrwm (V) 9 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 1 IO capacitance (typ) (pF) 10 IEC 61000-4-2 contact (±V) 20000 IEC 61000-4-5 (A) 5.5 Clamping voltage (V) 13 Dynamic resistance (typ) 0.5 Interface type Audio, General purpose Breakdown voltage (min) (V) 9.5 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
Package name DFN1006 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 90 Vrwm (V) 9 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 1 IO capacitance (typ) (pF) 10 IEC 61000-4-2 contact (±V) 20000 IEC 61000-4-5 (A) 5.5 Clamping voltage (V) 13 Dynamic resistance (typ) 0.5 Interface type Audio, General purpose Breakdown voltage (min) (V) 9.5 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
X1SON (DPY) 2 0.6 mm² 1 x 0.6
  • 符合 AEC-Q101 标准
  • IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护
    • ±20kV 接触放电
    • ±20kV 气隙放电
  • ISO 10605（330pF，330Ω）ESD 保护
    • ±8kV 接触放电
    • ±15kV 气隙放电
  • IEC 61000-4-5 浪涌保护
    • 4.5A (8/20µs)
  • I/O 电容 10pF（典型值）
  • R DYN：0.5Ω（典型值）
  • 直流击穿电压 ±9.5V（最小值）
  • 超低泄漏电流 100nA（最大值）
  • 13V 钳位电压（I PP = 1A 时的典型值）
  • 工业温度范围：–40°C 至 +125°C
  • 节省空间的 0402 外形尺寸
  • 符合 AEC-Q101 标准
  • IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护
    • ±20kV 接触放电
    • ±20kV 气隙放电
  • ISO 10605（330pF，330Ω）ESD 保护
    • ±8kV 接触放电
    • ±15kV 气隙放电
  • IEC 61000-4-5 浪涌保护
    • 4.5A (8/20µs)
  • I/O 电容 10pF（典型值）
  • R DYN：0.5Ω（典型值）
  • 直流击穿电压 ±9.5V（最小值）
  • 超低泄漏电流 100nA（最大值）
  • 13V 钳位电压（I PP = 1A 时的典型值）
  • 工业温度范围：–40°C 至 +125°C
  • 节省空间的 0402 外形尺寸

TPD1E10B09-Q1 器件是一款采用小型 0402 业界通用封装的双向静电放电 (ESD) 瞬态电压抑制 (TVS) 二极管。该 TVS 保护二极管可方便在节省空间的应用中进行元件放置，并且具有低 R DYN 和高 IEC 等级。 TPD1E10B09-Q1 的额定 ESD 冲击消散值高于 IEC 61000-4-2 国际标准中规定的最高级别（4 级），可以提供 ±20kV 接触放电和 ±20kV IEC 气隙保护。ESD 电压可轻松达到 5kV，并且在极端条件下，这些电压能够显著升高，从而对许多集成电路造成损坏。例如，在湿度较低的环境下，电压可超过 20kV。

低动态电阻 (0.5Ω) 和低钳位电压（1A IPP 时为 13V）可确保提供系统级瞬变事件保护，从而为暴露于 ESD 事件下的设计提供强大的保护。该器件还具有 10pF IO 电容，因此非常适用于音频线路、按钮、存储器接口或 GPIO。

该器件还具有未经过汽车认证的型号：TPD1E10B09。

TPD1E10B09-Q1 器件是一款采用小型 0402 业界通用封装的双向静电放电 (ESD) 瞬态电压抑制 (TVS) 二极管。该 TVS 保护二极管可方便在节省空间的应用中进行元件放置，并且具有低 R DYN 和高 IEC 等级。 TPD1E10B09-Q1 的额定 ESD 冲击消散值高于 IEC 61000-4-2 国际标准中规定的最高级别（4 级），可以提供 ±20kV 接触放电和 ±20kV IEC 气隙保护。ESD 电压可轻松达到 5kV，并且在极端条件下，这些电压能够显著升高，从而对许多集成电路造成损坏。例如，在湿度较低的环境下，电压可超过 20kV。

低动态电阻 (0.5Ω) 和低钳位电压（1A IPP 时为 13V）可确保提供系统级瞬变事件保护，从而为暴露于 ESD 事件下的设计提供强大的保护。该器件还具有 10pF IO 电容，因此非常适用于音频线路、按钮、存储器接口或 GPIO。

该器件还具有未经过汽车认证的型号：TPD1E10B09。
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模拟设计期刊 系统级 ESD 电路保护的设计注意事项 英语版 2012年 12月 6日

设计和开发

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评估板

ESDEVM — ESD 评估模块

静电敏感器件 (ESD) 评估模块 (EVM) 是用于 TI 大部分 ESD 产品系列的开发平台。为了测试任何型号的器件，该电路板支持所有传统的 ESD 封装结构。器件可以焊接到相应封装结构，然后进行测试。如果是典型的高速 ESD 二极管，则应采用阻抗受控布局来获取 S 参数并剥离电路板引线。如果是非高速 ESD 二极管，则应采用有布线连接到测试点的封装结构，以便轻松运行直流测试，例如击穿电压、保持电压、漏电流等。该电路板布局布线还可以通过将信号引脚短接至信号所在的位置，轻松地将任何器件引脚连接到电源 (VCC) 或地。
用户指南: PDF | HTML
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仿真模型

TPD1E10B09-Q1 IBIS Model

SLVMBQ8.ZIP (3 KB) - IBIS Model
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

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