TPS22917
- 输入电压范围 (VIN)：1V 至 5.5V
- 最大持续电流 (IMAX)：2A
- 导通电阻 (RON)
- 5V VIN = 80mΩ（典型值）
- 1.8V VIN = 120mΩ（典型值）
- 1V VIN = 220mΩ（典型值）
- 超低功耗：
- 导通状态 (IQ)：0.5µA（典型值）
- 关闭状态 (ISD)：10nA（典型值）
- ON 引脚智能下拉电阻 (RPD)：
- ON ≥ VIH (ION)：10nA（最大值）
- ON ≤ VIL (RPD)：750kΩ（典型值）
- 可调节开通时序可限制浪涌电流 (tON)：
- 在 72mV/µs（CT = 开路）下，5V tON = 100µs
- 5V tON = 4000µs，2.3mV/µs (CT = 1000pF)
- 可调节输出放电和下降时间：
- 可选 QOD 电阻 ≥ 150Ω（内部）
- 常开的真反向电流阻断 (RCB)：
- 激活电流 (IRCB)：–500mA（典型值）
- 反向泄漏电流 (IIN,RCB)：-1µA（最大值）
TPS22917x 器件是一款小型单通道负载开关，采用低泄漏电流 P 沟道 MOSFET 实现超小的功率损耗。高级栅极控制设计支持低至 1V 的工作电压，且增加超小的导通电阻和功率损耗。
可以使用外部组件独立调节上升和下降时间，以实现系统级优化。可通过调节计时电容器 (CT) 和开通时间来管理浪涌电流，且不会增加不必要的系统延迟。输出放电电阻 (QOD) 可用来调节输出下降时间。将 QOD 引脚直接连接到输出端可获得最快的下降时间，或使其保持开路以获得最慢的下降时间。
开关导通状态由数字输入控制，此输入可与低压控制信号直接连接。TPS22917 采用高电平有效使能逻辑，而 TPS22917L 低电平有效使能逻辑。首次加电时，此器件使用智能下拉电阻来保持 ON 引脚不悬空，直到系统时序控制完成。ON 引脚故意驱动为高电平 (≥VIH) 后，便会断开智能下拉电阻 (RPD)，从而防止不必要的功率损耗。
TPS22917x 器件采用支持目测检查焊点的带引线 SOT-23 封装 (DBV)。此器件的工作温度范围为 –40°C 至 125°C。
技术文档
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|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TPS22917x 1V 至 5.5V、2A、80mΩ 超低泄漏负载开关 数据表 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2022年 2月 17日 |
| 电子书 | 11 Ways to Protect Your Power Path | 2019年 7月 3日 | ||||
| 应用简报 | Making the Switch to an Integrated Load Switch | 2019年 6月 11日 | ||||
| 应用手册 | Integrated Load Switches Versus Discrete MOSFETs (Rev. A) | 2019年 5月 6日 | ||||
| 应用手册 | Load Switch Thermal Considerations (Rev. A) | 2018年 10月 11日 | ||||
| 应用手册 | Basics of Load Switches (Rev. A) | 2018年 9月 5日 | ||||
| 用户指南 | TPS22917 Load Switch Evaluation Module | 2017年 10月 5日 | ||||
| 应用手册 | Selecting a Load Switch to Replace a Discrete Solution | 2017年 4月 30日 | ||||
| 应用手册 | Timing of Load Switches | 2017年 4月 27日 | ||||
| 应用手册 | Fundamentals of On-Resistance in Load Switches | 2016年 6月 9日 | ||||
| 应用手册 | Quiescent Current vs Shutdown Current for Load Switch Power Consumption | 2016年 3月 30日 | ||||
| 应用手册 | Managing Inrush Current (Rev. A) | 2015年 5月 28日 |
设计和开发
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评估板
HALL-TRIGGER-EVM — 适用于非接触式霍尔效应变速触发器、具有外部磁场保护的评估模块
此评估模块 (EVM) 使用霍尔效应传感器，实现了一种可根据按压位移提供不同电压输出的触发器。与以前的机械式触发器相比，EVM 采用非接触式方法来减少磨损，从而延长产品寿命。低功耗霍尔效应开关与负载开关一起使用，可在未按压触发器时使系统处于低功耗待机模式。此外，当存在强大的外部磁场时，可选的磁场保护特性可帮助禁用电压输出。
评估板
TPS22917EVM — TPS22917 5.5V、2A、80mΩ 导通电阻负载开关评估模块
TPS22917 评估模块 (EVM) 是一种组装完备并经过测试的电路，用于评估 TPS22916xx 负载开关。TPS22917EVM 可让用户在不同的负载条件下（0A 至 2A）向 TPS22917 器件施加不同的输入电压（1.0V 至 5.5V）。通过该器件的输入和输出连接以及 PCB 布局布线，可处理高连续电流，并提供进出被测器件的低电阻通道。通过测试点连接，EVM 用户可以在用户定义的测试条件下控制器件并进行准确的 RON 测量。
用户指南: PDF
仿真模型
TPS22917 Unencrypted PSpice Transient Model Package (Rev. A)
SLVMCE9A.ZIP (6743 KB) - PSpice Model
模拟工具
PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®
PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。
借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。
在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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参考设计
TIDA-00300 — 隔离式同步串行通信模块
此参考设计提供了隔离 I2C 或 SPI 通信线路的方法。电网基础设施应用中通常需要这种隔离，例如涉及高压的保护继电器和断路器。此参考设计提供电源隔离和信号隔离。
参考设计
TIDA-01584 — 采用负载开关的功率排序参考设计
TIDA-01584 参考设计使用负载开关演示各种电源时序配置。通过使用集成的负载开关，每个电压轨的时序都可以独立调整。无需大量的处理器干预或外部数字组件，即可控制每个电压轨。此设计非常适合用于多功能打印机 (MFP) 和机顶盒 (STB) 等应用（此类应用需要使用特定的时序来开启各种子系统和处理器轨）。
参考设计
TIDA-060032 — 具有外部磁场保护的非接触式霍尔效应变速触发器参考设计
该参考设计使用霍尔效应传感器，实现了一种可根据按压位移提供不同电压输出的触发器。这些类型的触发器在无绳电动工具或任何其他使用触发器位移信息的终端设备中很有用。
与以前的机械式触发器相比，该设计采用非接触式方法来减少磨损，从而延长产品寿命。低功耗霍尔效应开关与负载开关一起使用，可在未按压触发器时使系统处于低功耗待机模式。此外，当存在强大的外部磁场时，可选的磁场保护特性可帮助禁用电压输出。
参考设计
TIDA-010055 — TIDA-010055
该参考设计展示了适用于具有模拟输入/输出和通信模块的保护继电器的非隔离式电源架构，这些模块通过 5V、12V 或 24V 直流输入生成。为了生成电源，该设计针对尺寸和设计时间受限的应用使用带集成 FET 的直流/直流转换器和带集成电感器的电源模块，并针对需要低 EMI 和线性稳压器 (LDO) 以实现低纹波的应用采用 HotRod™ 封装类型。保护措施包括用于输入瞬态保护的平缓钳位 (...)
参考设计
TIDA-010049 — 适用于 IEC 61508 (SIL-2) 且经 TUV 评估的数字输入参考设计
该 8 通道、组隔离式、数字输入模块参考设计聚焦于需要工业功能安全的应用。该设计实现了诊断功能，以帮助检测永久和瞬态随机硬件故障。该输入模块的概念已经过 TUEV SUED (TÜV SÜD) 的评估，可帮助设计人员满足 IEC61508-2:2010 (SIL2) 和 EN13849-1:2015 (Cat2 PLd) 系统合规性要求。此外，该设计还具有 0 硬件容错 (HFT) 能力（1oo1D 架构），并且具有设计用于符合 IEC61131-2（1 类）建议的数字输入。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOT-23 (DBV) | 6 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
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包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点
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