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线性和低压降 (LDO) 稳压器

TPS736-Q1

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具有反向电流保护功能的汽车类 400mA、高精度、低压降稳压器

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产品详情

Output options Adjustable Output, Fixed Output Iout (max) (A) 0.4 Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.7 Vout (max) (V) 5.4 Vout (min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.8 Rating Automotive Noise (µVrms) 30 PSRR at 100 KHz (dB) 16 Iq (typ) (mA) 0.4 Thermal resistance θJA (°C/W) 222 Load capacitance (min) (µF) 0 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Reverse Current Protection Accuracy (%) 1 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 75 Operating temperature range (°C) -40 to 125
Output options Adjustable Output, Fixed Output Iout (max) (A) 0.4 Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.7 Vout (max) (V) 5.4 Vout (min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.8 Rating Automotive Noise (µVrms) 30 PSRR at 100 KHz (dB) 16 Iq (typ) (mA) 0.4 Thermal resistance θJA (°C/W) 222 Load capacitance (min) (µF) 0 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Reverse Current Protection Accuracy (%) 1 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 75 Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOT-223 (DCQ) 6 45.89 mm² 6.5 x 7.06 SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：
    • 温度等级 1：–40°C 至 +125°C，TA
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 不借助输出电容器或者任何电容值或类型的电容器即可实现稳定
  • 输入电压范围：1.7V 至 5.5V
  • 超低压降电压：75mV（典型值）
  • 无论是否使用可选输出电容器，均可实现出色的负载瞬态响应
  • 全新的 NMOS 拓扑结构可提供低反向漏电流
  • 低噪声：30µVRMS 典型值（10Hz 至 100kHz）
  • 初始精度：0.5%
  • 整个线路、负载和温度范围内的精度达 1%
  • 关断模式下 IQ 最大值小于 1µA
  • 热关断和指定最小和最大电流限制保护
  • 提供了多个输出电压版本：
    • 固定输出：1.2V 至 3.3V
    • 可调输出：1.2V 至 5.5V
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：
    • 温度等级 1：–40°C 至 +125°C，TA
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 不借助输出电容器或者任何电容值或类型的电容器即可实现稳定
  • 输入电压范围：1.7V 至 5.5V
  • 超低压降电压：75mV（典型值）
  • 无论是否使用可选输出电容器，均可实现出色的负载瞬态响应
  • 全新的 NMOS 拓扑结构可提供低反向漏电流
  • 低噪声：30µVRMS 典型值（10Hz 至 100kHz）
  • 初始精度：0.5%
  • 整个线路、负载和温度范围内的精度达 1%
  • 关断模式下 IQ 最大值小于 1µA
  • 热关断和指定最小和最大电流限制保护
  • 提供了多个输出电压版本：
    • 固定输出：1.2V 至 3.3V
    • 可调输出：1.2V 至 5.5V

TPS736-Q1 低压降 (LDO) 线性稳压器采用 NMOS 拓扑结构，该拓扑结构在电压跟随器配置中使用 NMOS 导通晶体管。这个拓扑结构在使用具有低等效串联电阻 (ESR) 的输出电容器时保持稳定，甚至可实现无电容器运行。此拓扑结构还提供高反向阻断（低反向电流）和接地引脚电流，该电流在所有输出电流上几乎保持恒定。

TPS736-Q1 利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度，同时提供超低压降电压和低接地引脚电流。未启用时，电流消耗低于 1µA，非常适合便携式应用。极低的输出噪声（0.1µF CNR 时为 30µVRMS）使得此器件非常适合为 VCO 供电。该器件受到热关断和折返电流限制的保护。

TPS736-Q1 低压降 (LDO) 线性稳压器采用 NMOS 拓扑结构，该拓扑结构在电压跟随器配置中使用 NMOS 导通晶体管。这个拓扑结构在使用具有低等效串联电阻 (ESR) 的输出电容器时保持稳定，甚至可实现无电容器运行。此拓扑结构还提供高反向阻断（低反向电流）和接地引脚电流，该电流在所有输出电流上几乎保持恒定。

TPS736-Q1 利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度，同时提供超低压降电压和低接地引脚电流。未启用时，电流消耗低于 1µA，非常适合便携式应用。极低的输出噪声（0.1µF CNR 时为 30µVRMS）使得此器件非常适合为 VCO 供电。该器件受到热关断和折返电流限制的保护。
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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 TPS736-Q1 具有反向电流保护功能的 无电容、NMOS、400mA 低压降稳压器 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2025年 1月 6日

设计和开发

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评估板

TPS73601DRBEVM-518 — TPS73601DRBEVM-518 评估模块

TPS73601DRBEVM-518 评估模块是一块完全组装且经过测试的电路板，用于对采用 DRB (3x3mm SON) 封装的 TPS73601 低压降 (LDO) 线性稳压器进行评估。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOT-223 (DCQ) 6 Ultra Librarian
SOT-23 (DBV) 5 Ultra Librarian
应遵守 TI 评估类商品的标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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