TSD05C
- IEC 61000-4-2 ESD 保护:
- ±30kV 接触放电
- ±30kV 空气间隙放电
- IEC 61000-4-5 浪涌保护:
- 6.5-30A (8/20µs)
- 低 IO 电容 < 7pF(典型值)
- 超低漏电流:10nA(最大值)
- 工业温度范围:-55°C 至 +150°C
- 业界通用 SOD-323 引线式封装 (2.65mm × 1.3mm)
TSDxxC 是双向 TVS 保护二极管系列,专为钳制 ESD 和浪涌等有害瞬变而设计。TSDxxC 器件的额定 ESD 冲击消散值高达 ±30kV(接触放电和空气间隙放电),这超过了 IEC 61000-4-2 国际标准中规定的最高级别(4 级)。
TSDxxC 结合了这些器件的强大钳位性能和低电容,是出色的 TVS 二极管,可在许多不同应用中保护数据线路和电源线路。
TSDxxC 系列采用业界通用的引线式 SOD-323 封装,可轻松焊接。
技术文档
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* | 数据表 | TSDxxC 采用 SOD-323 封装的双向 TVS 二极管 数据表 (Rev. C) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2024年 10月 31日 |
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应用简报 | 保护 I/O 模块免受浪涌事件的影响 | PDF | HTML | 英语版 | 2021年 5月 5日 | ||
白皮书 | Demystifying surge protection | 2018年 11月 6日 | ||||
应用手册 | How to select a Surge Diode | 2018年 8月 29日 |
设计和开发
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评估板
ESDEVM — ESD 评估模块
静电敏感器件 (ESD) 评估模块 (EVM) 是用于 TI 大部分 ESD 产品系列的开发平台。为了测试任何型号的器件,该电路板支持所有传统的 ESD 封装结构。器件可以焊接到相应封装结构,然后进行测试。如果是典型的高速 ESD 二极管,则应采用阻抗受控布局来获取 S 参数并剥离电路板引线。如果是非高速 ESD 二极管,则应采用有布线连接到测试点的封装结构,以便轻松运行直流测试,例如击穿电压、保持电压、漏电流等。该电路板布局布线还可以通过将信号引脚短接至信号所在的位置,轻松地将任何器件引脚连接到电源 (VCC) 或地。
参考设计
TIDA-010271 — Stackable battery management unit reference design for energy storage systems
This is a full cell-temperature sensing and high cell voltage accuracy Lithium-ion (Li-ion), lithium iron phosphate (LiFePO4) battery pack (32s) reference design. The design monitors each cell voltage, cell temperature and protects the battery pack to secure safe use. This design uses onboard and (...)
设计指南: PDF
封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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SOT (DYF) | 2 | Ultra Librarian |
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