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隔离式栅极驱动器

UCC21320-Q1

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具有可编程死区时间且采用 DWK 封装的汽车类 3.75kVrms、4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器

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UCC21320-Q1

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产品详情

Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 5303, 6250 Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 19 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12
Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 5303, 6250 Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 19 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12
SOIC (DWK) 14 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 3V 至 18V 输入 VCCI 范围，可与数字控制器和模拟控制器连接
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
  • 开关参数：
    • 33ns 典型传播延迟
    • 20ns 最小脉冲宽度
    • 6ns 最大脉宽失真
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 通用：双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器
  • 可通过编程的重叠和死区时间
  • 宽体 SOIC-14 (DWK) 封装
    • 驱动器通道之间具有 3.3mm 的间距
  • 结温范围：–40°C 至 +150°C
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 可针对电源时序快速禁用
  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度 1 级
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 3V 至 18V 输入 VCCI 范围，可与数字控制器和模拟控制器连接
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
  • 开关参数：
    • 33ns 典型传播延迟
    • 20ns 最小脉冲宽度
    • 6ns 最大脉宽失真
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 通用：双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器
  • 可通过编程的重叠和死区时间
  • 宽体 SOIC-14 (DWK) 封装
    • 驱动器通道之间具有 3.3mm 的间距
  • 结温范围：–40°C 至 +150°C
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 可针对电源时序快速禁用
  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度 1 级

UCC21320-Q1 是隔离式双通道栅极驱动器，具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可用于驱动高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。

输入侧通过一个 3.75kVRMS 基本隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离，支持高达 1500VDC 的工作电压。

每个驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。禁用引脚可同时关断两个输出，在保持开路或接地时允许器件正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

各个器件接受的 VDD 电源电压高达 25V。凭借 3V 至 18V 宽输入 VCCI 电压范围，该驱动器适用于连接模拟和数字控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

凭借所有这些高级特性，UCC21320-Q1 可实现高效率、高功率密度和稳健性。

UCC21320-Q1 是隔离式双通道栅极驱动器，具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可用于驱动高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。

输入侧通过一个 3.75kVRMS 基本隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离，支持高达 1500VDC 的工作电压。

每个驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。禁用引脚可同时关断两个输出，在保持开路或接地时允许器件正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

各个器件接受的 VDD 电源电压高达 25V。凭借 3V 至 18V 宽输入 VCCI 电压范围，该驱动器适用于连接模拟和数字控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

凭借所有这些高级特性，UCC21320-Q1 可实现高效率、高功率密度和稳健性。
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* 数据表 UCC21320 -Q1 4A、6A、3.75kVRMS 汽车级隔离式 双通道栅极驱动器 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2024年 10月 16日

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
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  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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