DRV8351-SEP
- 40V 三相ハーフブリッジ ゲート ドライバ
- N チャネル MOSFET (NMOS) を駆動
- ゲート ドライバ電源 (GVDD)：5-15V
- MOSFET 電源 (SHx) は最大 40V をサポート
- ターゲット放射線性能
- SEL、SEB、SET 耐性：LET = 43MeV-cm2/mg (最大値)
- SET および SEFI 特性：LET = 43MeV-cm2/mg (最大値)
- すべてのウェハー ロットについて最大 30krad(Si) の吸収線量 (TID) を保証
- 30krad(Si) まで、吸収線量 (TID) 特性を評価済み
- 宇宙用強化プラスチック (宇宙用 EP)：
- 管理されたベースライン
- 単一のアセンブリ / テスト施設
- 単一の製造施設
- 長期にわたる製品ライフ サイクル
- 製品のトレーサビリティ
- ブートストラップ ダイオードを内蔵
- 反転および非反転 INLx 入力をサポート
- ブートストラップ ゲート駆動アーキテクチャ
- 750mA のソース電流
- 1.5A のシンク電流
- SHx ピンの低リーク電流 (55µA 未満)
- 絶対最大 BSTx 電圧：57.5V
- SHx で -22V までの負の過渡電圧をサポート
- クロス導通防止機能を内蔵
- 200ns の固定デッドタイム挿入
- 3.3V および 5V ロジック入力 (絶対最大定格 20V) をサポート
- 4ns (標準値) の伝搬遅延マッチング
- 小型の TSSOP パッケージ
- パワー ブロックによる効率的なシステム設計
- 保護機能内蔵
- BST 低電圧誤動作防止 (BSTUV)
- GVDD 低電圧 (GVDDUV)
DRV8351-SEP は、ハイサイドおよびローサイド N チャネル パワー MOSFET を駆動できる 3 相ハーフブリッジ ゲート ドライバです。DRV8351-SEPD は、内蔵ブートストラップ ダイオードと外付けコンデンサを使ってハイサイド MOSFET のために適切なゲート駆動電圧を生成します。GVDD は、ローサイド MOSFET のゲート駆動電圧を生成するために使います。このゲート ドライブのアーキテクチャは、最大でソース 750mA、シンク 1.5A のピーク電流をサポートします。
位相ピン SHx は大きな負電圧過渡に耐えます。一方、ハイサイド ゲート ドライバ電源 BSTx および GHx はさらに大きな正電圧過渡 (絶対最大定格電圧 57.5V) に対応できるため、システムの堅牢性を高めることができます。伝搬遅延が短く、遅延マッチング仕様によりデッドタイムの要件が最小化されるため、さらに効率が向上します。GVDD と BST の低電圧誤動作防止による低電圧保護機能がローサイドとハイサイドの両方に備わっています。
技術資料
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4 をすべて表示 | 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | DRV8351-SEP：40V 3 相 BLDC ゲート ドライバ データシート | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2024年 12月 11日 |
| * | 放射線と信頼性レポート | DRV8351-SEP Single-Event Effects (SEE) Report | PDF | HTML | 2025年 1月 22日 | ||
| * | 放射線と信頼性レポート | DRV8351-SEP Production Flow and Reliability Report | PDF | HTML | 2025年 1月 21日 | ||
| * | 放射線と信頼性レポート | DRV8351-SEP Total Ionizing Dose (TID) Report | PDF | HTML | 2024年 12月 12日 |
設計および開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
評価ボード
DRV8351EVM — DRV8351 の評価基板
DRV8351-SEP 評価基板 (EVM) は、BLDC モーター向けの DRV8351-SEP ゲート ドライバをベースとする、30A の 3 相ブラシレス DC ドライブ段です。DRV8351-SEP は、ブートストラップ動作向けの 3 個のダイオードを内蔵しており、外部ダイオードは必要ありません。この EVM は、ローサイド電流測定向けの 3 個の電流シャント アンプと、PVDD/GVDD 電圧および基板の温度をフィードバックする機能を搭載しています。最大 40V の電圧をこの評価基板 (EVM) に供給できます。また、オンボードの降圧回路は、ブートストラップの GVDD (...)
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| TSSOP (PW) | 20 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点