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open-in-new 代替品と比較
比較対象デバイスと同等の機能で、ピン配置が異なる製品
UCC27624 アクティブ 30V VDD, 10A/10A dual-channel low-side driver with 4V UVLO and low propagation delay More recent driver with higher supply voltage capability

製品詳細

Rating Catalog Features MOSFET Gate Driver Device type Cell monitor and balancer Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Features MOSFET Gate Driver Device type Cell monitor and balancer Operating temperature range (°C) -40 to 125
HVSSOP (DGN) 8 14.7 mm² 3 x 4.9
  • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce
    Output Current Variation
  • 7 A Sink/3 A Source Current
  • Fast Propagation Times (25 ns Typical)
  • Fast Rise and Fall Times (14 ns/12 ns Rise
    Fall with 2 nF Load)
  • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide
    Either Configuration with a Single Device
  • Supply Rail Under-Voltage Lockout Protection
  • Dedicated Input Ground (IN_REF) for Split
    Supply or Single Supply Operation
  • Thermally Enhanced 8-Pin VSSOP Package
  • Output Swings from VCC to VEE Which can
    be Negative Relative to Input Ground
  • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce
    Output Current Variation
  • 7 A Sink/3 A Source Current
  • Fast Propagation Times (25 ns Typical)
  • Fast Rise and Fall Times (14 ns/12 ns Rise
    Fall with 2 nF Load)
  • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide
    Either Configuration with a Single Device
  • Supply Rail Under-Voltage Lockout Protection
  • Dedicated Input Ground (IN_REF) for Split
    Supply or Single Supply Operation
  • Thermally Enhanced 8-Pin VSSOP Package
  • Output Swings from VCC to VEE Which can
    be Negative Relative to Input Ground

The EMB1412 MOSFET gate driver provides high peak gate drive current in 8-lead exposed-pad VSSOP package, with improved power dissipation required for high frequency operation. The compound output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 7-A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Under-voltage lockout protection is provided to prevent damage to the MOSFET due to insufficient gate turn-on voltage. The EMB1412 provides both inverting and non-inverting inputs to satisfy requirements for inverting and non-inverting gate drive with a single device type.

The EMB1412 MOSFET gate driver provides high peak gate drive current in 8-lead exposed-pad VSSOP package, with improved power dissipation required for high frequency operation. The compound output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 7-A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Under-voltage lockout protection is provided to prevent damage to the MOSFET due to insufficient gate turn-on voltage. The EMB1412 provides both inverting and non-inverting inputs to satisfy requirements for inverting and non-inverting gate drive with a single device type.

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート EMB1412 MOSFET Gate Driver データシート (Rev. B) PDF | HTML 2014年 11月 20日
アプリケーション概要 External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020年 2月 28日
アプリケーション概要 Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 2020年 2月 28日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

UCC27423-4-5-Q1EVM — UCC2742xQ1、デュアル、4A、高速ローサイド MOSFET ドライバ、イネーブル付き評価基板 (EVM)

UCC2742xQ1 EVM は、UCC2742xQ1 ドライバを迅速かつ簡単に起動するための試験プラットフォームを提供する高速デュアル MOSFET 評価基板です。4V ~ 15Vの単一外部電源電圧で動作し、複数のテスト ポイントと複数のジャンパを備えています。すべてのデバイスは入力と出力が独立しており、共通のグランドを共有しています。イネーブル(ENBL)機能により、ドライバの動作を細い制御が可能で、同じイネーブルピンで複数デバイスのドライバ信号の ON/OFF が可能です。
ユーザー ガイド: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
HVSSOP (DGN) 8 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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