LMG3425EVM-043

具有理想二极管模式的 LMG3425R030 600V 30mΩ 半桥子卡

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概述

LMG3425EVM-043 可将两个 LMG3425R030 GaN FET 配置到具有锁存过流保护功能和所有必要辅助外围电路的半桥中。该 EVM 需要与大型系统配合使用。

特性

输入电压高达 600V
用于评估 LMG342XR0XX 性能的简单开环设计
用于 PWM 信号的单路/双路板载 PWM 输入（具有可变死区时间）
逐周期过流保护功能
用于使用示波器探针（具有短接地弹簧探针）进行逻辑和功率级测量的便利探测点

氮化镓 (GaN) 功率级

LMG3425R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 30mΩ GaN FET

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Evaluating LMG3425R030 GaN FET power stage

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This half-bridge daughter card allows you to quickly implement a GaN-based power converter when supplied with control signals, power magnetics and capacitors.

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This motherboard, with power magnetics and storage capacitors, allows you to implement an open-loop power converter when supplied with a FET daughter board and control signals.

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应用手册

Thermal Performance of QFN12x12 Package for 600V, GaN Power Stage PDF | HTML

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	类型	标题		下载最新的英文版本		日期
	用户指南	LMG342XEVM-04X 用户指南 (Rev. B)	PDF \| HTML	英语版 (Rev.B)	PDF \| HTML	2022年 4月 14日
	证书	LMG3425EVM-043 EU Declaration of Conformity (DoC)				2020年 10月 26日

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