PMP41068

采用 GaN 的 100W D 类音频放大器参考设计

PMP41068

设计文件

概述

此参考设计演示了采用 GaN HEMT 的单端 D 类功率级。本设计采用 LMG2100R044 作为电源开关,工作频率为 1MHz。

特性
  • 使用 GaN HEMT 电源开关,工作频率可提升到 2MHz 甚至更高。
  • 开环配置的 THD 不超过 0.4%。
  • 峰值效率为 94.2% @ 54.9
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

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TIDT365.PDF (2009 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDMC48.PDF (275 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDMC49.PDF (177 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDMC50.PDF (279 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDMC52.ZIP (1500 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCGJ2.ZIP (1588 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDMC51.PDF (1144 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

AC/DC 和 DC/DC 转换器(集成 FET)

TPS629210-Q1采用 SOT-583 封装的汽车类 3V 至 17V、1A、高效率和低 IQ 同步降压转换器

数据表: PDF | HTML
反向缓冲器和驱动器

SN74AC14具有施密特触发输入的 6 通道、2V 至 6V 反相器

数据表: PDF | HTML
氮化镓 (GaN) 功率级

LMG2100R044具有集成驱动器和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET

数据表: PDF | HTML

技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
测试报告 Discrete Single-Ended Class-D Power Stage Reference Design With GaN HEMT PDF | HTML 2023年 11月 9日

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