DRV8351-SEP
- 40V 三相半桥栅极驱动器
- 驱动 N 沟道 MOSFET (NMOS)
- 栅极驱动器电源 (GVDD)：5-15V
- MOSFET 电源 (SHx) 支持高达 40V 的电压
- 目标辐射性能
- SEL、SEB 和 SET 对于 LET 的抗扰度高达 43MeV-cm2/mg
- SET 和 SEFI 的 LET 特征值高达 43MeV-cm2/mg
- 每个晶圆批次的保障 TID 高达 30krad(Si)
- TID 特征值高达 30krad(Si)
- 增强型航天塑料（航天 EP）：
- 受控基线
- 一个封测厂
- 一个制造厂
- 延长的产品生命周期
- 产品可追溯性
- 集成自举二极管
- 支持反相和同相 INLx 输入
- 自举栅极驱动架构
- 750mA 拉电流
- 1.5A 灌电流
- SHx 引脚具有低漏电流（小于 55µA）
- 绝对最大 BSTx 电压高达 57.5V
- SHx 引脚瞬态负压可达 -22V
- 内置跨导保护
- 固定插入 200ns 死区时间
- 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入（绝对最大值为 20V）
- 4ns 典型传播延迟匹配
- 紧凑型 TSSOP 封装
- 具有电源块的高效系统设计
- 集成式保护功能
- BST 欠压锁定 (BSTUV)
- GVDD 欠压 (GVDDUV)
DRV8351-SEP 是一款三相半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8351-SEPD 使用集成自举二极管和外部电容为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。GVDD 用于为低侧 MOSFET 生成栅极驱动电压。此栅极驱动架构支持高达 750mA 的峰值拉电流和 1.5A 的峰值灌电流。
相位引脚 SHx 能够承受显著的瞬变负电压；而高侧栅极驱动器电源 BSTx 和 GHx 能够支持更高的瞬变正电压 (57.5V) 绝对最大电压，从而提高系统的鲁棒性。较小的传播延迟和延迟匹配参数可尽可能降低死区时间要求，从而进一步提高效率。通过 GVDD 和 BST 欠压锁定为低侧和高侧提供欠压保护。
技术文档
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查看全部 5 | 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | DRV8351-SEP：40V 三相 BLDC 栅极驱动器 数据表 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2024年 12月 11日 |
| * | 辐射与可靠性报告 | DRV8351-SEP Single-Event Effects (SEE) Report | PDF | HTML | 2025年 1月 22日 | ||
| * | 辐射与可靠性报告 | DRV8351-SEP Production Flow and Reliability Report | PDF | HTML | 2025年 1月 21日 | ||
| * | 辐射与可靠性报告 | DRV8351-SEP Total Ionizing Dose (TID) Report | PDF | HTML | 2024年 12月 12日 | ||
| 应用手册 | 所选封装材料的热学和电学性质 | 2008年 10月 16日 |
设计和开发
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评估板
DRV8351EVM — DRV8351 评估模块
DRV8351-SEP 评估模块 (EVM) 是一款基于 DRV8351-SEP 栅极驱动器（适用于 BLDC 电机）的 30A 三相无刷直流驱动级。DRV8351-SEP 包含三个二极管用于自举操作，因此无需使用外部二极管。此 EVM 包含三个电流分流放大器，可用于低侧电流测量以及 PVDD/GVDD 电压和电路板温度反馈。可向此 EVM 提供高达 40V 的电压，板载降压器件可为自举 GVDD 电源提供所需的 12V 电压。包含所有电源的状态 LED 以及故障 LED，用于提供用户反馈。需要使用 C2000TM LaunchPadTM 开发套件 (LAUNCHXL-F280049C) (...)
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| TSSOP (PW) | 20 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
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