ESD451
- IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护:
- ±30kV 接触放电
- ±30kV 空气间隙放电
- IEC 61000-4-5 浪涌保护:
- 6.2A (8µs/20µs)
- IO 电容:
- 0.5pF(典型值)
- 直流击穿电压:±8V(典型值)
- 超低漏电流:50nA(最大值)
- 超低的 ESD 钳位电压
- 16A TLP 时为 10.4V
- R DYN:0.19Ω
- 低插入损耗:3.5GHz(-3dB 带宽)
- 支持速率高达 7Gbps 的高速接口
- 工业温度范围:–55°C 至 +150°C
- 节省空间的业界通用 0201 封装 (0.6mm × 0.3mm × 0.3mm)
ESD451 是一款双向 ESD 保护二极管,用于保护数据线路和其他 I/O 端口。 ESD451 的额定 ESD 冲击消散值高达 ±30kV,符合 IEC 61000-4-2 国际标准(高于 4 级)。
该器件具有 0.5pF(典型值)IO 电容,可为 USB 3.0 等协议提供高速接口保护。超低的动态电阻 (0.19Ω) 和钳位电压(16A TLP 时为 10.4V)可针对瞬态事件提供系统级保护。
该器件采用微型封装并具有 ±30kV ESD 等级和 6.2 A 浪涌,可提供强大的瞬态保护,用于保护便携式电子产品和其他空间受限类应用(如可穿戴设备)中的 5.5V 电源轨和数据线。
ESD451 采用业界通用的 0201 (DPL) 封装。
技术文档
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* | 数据表 | ESD451 采用 0201 封装的单通道 ±30kV 双向 ESD 二极管 数据表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2023年 6月 16日 |
应用手册 | ESD 包装和布局指南 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2022年 9月 14日 |
设计和开发
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评估板
ESDEVM — ESD 评估模块
静电敏感器件 (ESD) 评估模块 (EVM) 是用于 TI 大部分 ESD 产品系列的开发平台。为了测试任何型号的器件,该电路板支持所有传统的 ESD 封装结构。器件可以焊接到相应封装结构,然后进行测试。如果是典型的高速 ESD 二极管,则应采用阻抗受控布局来获取 S 参数并剥离电路板引线。如果是非高速 ESD 二极管,则应采用有布线连接到测试点的封装结构,以便轻松运行直流测试,例如击穿电压、保持电压、漏电流等。该电路板布局布线还可以通过将信号引脚短接至信号所在的位置,轻松地将任何器件引脚连接到电源 (VCC) 或地。
封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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X2SON (DPL) | 2 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。