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Package name DFN1006 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 65 Vrwm (V) 24 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 1 IO capacitance (typ) (pF) 1.1 IEC 61000-4-2 contact (±V) 15000 IEC 61000-4-5 (A) 1.8 Features ESD Protection Clamping voltage (V) 36.3 Dynamic resistance (typ) 0.53 Interface type GPIO, LIN Breakdown voltage (min) (V) 25.5 IO leakage current (max) (nA) 50 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
Package name DFN1006 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 65 Vrwm (V) 24 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 1 IO capacitance (typ) (pF) 1.1 IEC 61000-4-2 contact (±V) 15000 IEC 61000-4-5 (A) 1.8 Features ESD Protection Clamping voltage (V) 36.3 Dynamic resistance (typ) 0.53 Interface type GPIO, LIN Breakdown voltage (min) (V) 25.5 IO leakage current (max) (nA) 50 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
X1SON (DPY) 2 0.6 mm² 1 x 0.6
  • IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护:
    • ±22kV 或 ±15kV 接触放电
    • ±22kV 或 ±15kV 气隙放电
  • 强大的浪涌保护:
    • IEC 61000-4-5 (8/20µs):2.8A 或 1.8A
  • 24V 工作电压
  • 双向 ESD 保护
  • 低钳位电压可保护下游元件
  • 温度范围:–55°C 至 +150°C
  • I/O 电容 = 1.6pF 或 1.1pF(典型值)
  • 采用标准引线式封装和 0402 尺寸封装:SoD-523 (DYA) 和 X1SON (DPY)
  • 引线式封装,用于自动光学检测 (AOI)
  • IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护:
    • ±22kV 或 ±15kV 接触放电
    • ±22kV 或 ±15kV 气隙放电
  • 强大的浪涌保护:
    • IEC 61000-4-5 (8/20µs):2.8A 或 1.8A
  • 24V 工作电压
  • 双向 ESD 保护
  • 低钳位电压可保护下游元件
  • 温度范围:–55°C 至 +150°C
  • I/O 电容 = 1.6pF 或 1.1pF(典型值)
  • 采用标准引线式封装和 0402 尺寸封装:SoD-523 (DYA) 和 X1SON (DPY)
  • 引线式封装,用于自动光学检测 (AOI)

ESD751 和 ESD761 是适用于 USB 电力输送 (USB-PD) 的单通道低电容双向 ESD 保护器件。这些器件旨在耗散超过 IEC 61000-4-2 国际标准所规定最高水平(分别为 ±22kV 接触放电、±22kV 气隙放电,以及 ±15kV 接触放电、±15kV 气隙放电)的接触 ESD 冲击。低动态电阻和低钳位电压有助于保护系统免受瞬态事件的影响。这种保护至关重要,因为工业系统对鲁棒性和可靠性的要求很高。

ESD751 和 ESD761 是适用于 USB 电力输送 (USB-PD) 的单通道低电容双向 ESD 保护器件。这些器件旨在耗散超过 IEC 61000-4-2 国际标准所规定最高水平(分别为 ±22kV 接触放电、±22kV 气隙放电,以及 ±15kV 接触放电、±15kV 气隙放电)的接触 ESD 冲击。低动态电阻和低钳位电压有助于保护系统免受瞬态事件的影响。这种保护至关重要,因为工业系统对鲁棒性和可靠性的要求很高。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 ESD751 和ESD761 24V 单通道 ESD 保护二极管 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2023年 1月 11日
应用手册 ESD 包装和布局指南 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 9月 14日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

ESDEVM — ESD 评估模块

静电敏感器件 (ESD) 评估模块 (EVM) 是用于 TI 大部分 ESD 产品系列的开发平台。为了测试任何型号的器件,该电路板支持所有传统的 ESD 封装结构。器件可以焊接到相应封装结构,然后进行测试。如果是典型的高速 ESD 二极管,则应采用阻抗受控布局来获取 S 参数并剥离电路板引线。如果是非高速 ESD 二极管,则应采用有布线连接到测试点的封装结构,以便轻松运行直流测试,例如击穿电压、保持电压、漏电流等。该电路板布局布线还可以通过将信号引脚短接至信号所在的位置,轻松地将任何器件引脚连接到电源 (VCC) 或地。
用户指南: PDF | HTML
TI.com 上无现货
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
X1SON (DPY) 2 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

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