ISOS141-SEP
- 抗辐射
- 电离辐射总剂量 (TID) 特征值（无 ELDRS）= 30krad(Si)
- TID RLAT/RHA = 30krad(Si)
- 单粒子锁定 (SEL) 在 125°C 下对 LET 的抗扰度 = 43MeV⋅cm2/mg
- 单粒子绝缘击穿 (SEDR) 在 500VDC 下的抗扰度 (43MeV⋅cm2/mg)
- 增强型航天塑料（航天 EP）
- 符合 NASA ASTM E595 释气规格要求
- 供应商项目图 (VID) V62/21610
- 军用级温度范围（-55°C 至 125°C）
- 同一晶圆制造场所
- 同一组装和测试场所
- 金键合线，NiPdAu 铅涂层
- 晶圆批次可追溯性
- 延长了产品生命周期
- 延长了产品变更通知周期
- 600VRMS 连续工作电压
- ：
- DIN VDE V 0884-11:2017-01
- UL 1577 组件认证计划
- 100 Mbps 数据速率
- 宽电源电压范围：2.25V 至 5.5V
- 2.25V 至 5.5V 电平转换
- 默认输出低
- 低功耗，1Mbps 时每通道的电流典型值为 1.5mA
- 低传播延迟：典型值为 10.7ns（5V 电源供电时）
- 通道间偏斜小：最大 4ns（5V 电源供电时）
- CMTI 典型值为 ±100kV/µs
- 系统级 ESD、EFT、浪涌和磁抗扰度
-
小型 QSOP (DBQ-16) 封装
ISOS141-SEP 抗辐射器件是采用小型 16 引脚 QSOP 封装的高性能四通道数字隔离器。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。该器件具有 100Mbps 的高数据速率、10.7ns 的低传播延迟和 4ns 的通道间严格偏移，支持近地轨道 (LEO) 航天应用。ISOS141-SEP 器件具有三个正向通道和一个反向通道，如果失去输入功率或信号，默认输出为低电平。使能引脚可用于将各输出置于高阻抗，适用于多主驱动应用，还可降低功耗。
ISOS141-SEP 在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 时，具有高电磁抗扰度和低辐射、低功耗特性。该器件具有 100kV/µs 的高共模瞬态抗扰度，可轻松缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题，还通过创新的芯片设计简化了辐射方面的合规性。
技术文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 19 设计和开发
如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。
评估板
DIGI-ISO-EVM — 通用数字隔离器评估模块
DIGI-ISO-EVM 是一个评估模块 (EVM)，用于评估 TI 采用以下五种不同封装的任何单通道、双通道、三通道、四通道或六通道数字隔离器器件：8 引脚窄体 SOIC (D)、8 引脚宽体 SOIC (DWV)、16 引脚宽体 SOIC (DW)、16 引脚超宽体 SOIC (DWW) 和 16 引脚 QSOP (DBQ) 封装。此 EVM 具有足够的 Berg 引脚选项，支持使用超少的外部元件来评估相应器件。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SSOP (DBQ) | 16 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。