产品详情

Package name SC70-6, SOT-5X3 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 45 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 4 IO capacitance (typ) (pF) 0.7 IEC 61000-4-2 contact (±V) 12000 IEC 61000-4-5 (A) 3 Features ESD Protection Clamping voltage (V) 10.9 Dynamic resistance (typ) 1 Interface type General purpose, LVDS, USB 2.0 Breakdown voltage (min) (V) 7 IO leakage current (max) (nA) 0.5 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Package name SC70-6, SOT-5X3 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 45 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 4 IO capacitance (typ) (pF) 0.7 IEC 61000-4-2 contact (±V) 12000 IEC 61000-4-5 (A) 3 Features ESD Protection Clamping voltage (V) 10.9 Dynamic resistance (typ) 1 Interface type General purpose, LVDS, USB 2.0 Breakdown voltage (min) (V) 7 IO leakage current (max) (nA) 0.5 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOT-5X3 (DRL) 6 2.56 mm² 1.6 x 1.6 SOT-SC70 (DCK) 6 4.2 mm² 2 x 2.1
  • 超低漏电流为 0.5nA(最大值)
  • 针对 4 条 I/O 线路的瞬态保护:
    • IEC 61000-4-2 接触放电 ±12kV
    • IEC 61000-4-2 空气间隙放电 ±15kV
    • IEC 61000-4-5 浪涌 3.0A (8/20µs)
  • I/O 电容 0.7pF(典型值)
  • 双向 ESD 保护二极管阵列
  • 低 ESD 钳位电压
  • 工业级温度范围:-40°C 至 125°C
  • 易于布线的小型 DRL 和 DCK 封装
  • 超低漏电流为 0.5nA(最大值)
  • 针对 4 条 I/O 线路的瞬态保护:
    • IEC 61000-4-2 接触放电 ±12kV
    • IEC 61000-4-2 空气间隙放电 ±15kV
    • IEC 61000-4-5 浪涌 3.0A (8/20µs)
  • I/O 电容 0.7pF(典型值)
  • 双向 ESD 保护二极管阵列
  • 低 ESD 钳位电压
  • 工业级温度范围:-40°C 至 125°C
  • 易于布线的小型 DRL 和 DCK 封装

TPD4E1B06 是一款 4 通道双向静电放电 (ESD) 保护二极管阵列。这款器件具有超低漏电流 (0.5nA),可实现精确模拟测量。±12kV 接触和 ±15kV 空气间隙 ESD 保护超过 IEC 61000-4-2 4 级要求。TPD4E1B06 器件的 0.7pF 线路电容值使其非常适合精密模拟、USB2.0、以太网、SATA、LVDS 和 1394 接口等应用。

TPD4E1B06 是一款 4 通道双向静电放电 (ESD) 保护二极管阵列。这款器件具有超低漏电流 (0.5nA),可实现精确模拟测量。±12kV 接触和 ±15kV 空气间隙 ESD 保护超过 IEC 61000-4-2 4 级要求。TPD4E1B06 器件的 0.7pF 线路电容值使其非常适合精密模拟、USB2.0、以太网、SATA、LVDS 和 1394 接口等应用。

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技术文档

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* 数据表 TPD4E1B06 4 通道超低泄漏 ESD 保护器件 数据表 (Rev. E) PDF | HTML 英语版 (Rev.E) PDF | HTML 2024年 10月 11日
用户指南 阅读并了解 ESD 保护数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2023年 9月 22日
应用手册 ESD 包装和布局指南 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 9月 14日
选择指南 System-Level ESD Protection Guide (Rev. D) 2022年 9月 7日
用户指南 Generic ESD Evaluation Module User's Guide (Rev. A) PDF | HTML 2021年 9月 27日
白皮书 Designing USB for short-to-battery tolerance in automotive environments 2016年 2月 10日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

ESDEVM — ESD 评估模块

静电敏感器件 (ESD) 评估模块 (EVM) 是用于 TI 大部分 ESD 产品系列的开发平台。为了测试任何型号的器件,该电路板支持所有传统的 ESD 封装结构。器件可以焊接到相应封装结构,然后进行测试。如果是典型的高速 ESD 二极管,则应采用阻抗受控布局来获取 S 参数并剥离电路板引线。如果是非高速 ESD 二极管,则应采用有布线连接到测试点的封装结构,以便轻松运行直流测试,例如击穿电压、保持电压、漏电流等。该电路板布局布线还可以通过将信号引脚短接至信号所在的位置,轻松地将任何器件引脚连接到电源 (VCC) 或地。
用户指南: PDF | HTML
TI.com 上无现货
仿真模型

TPD4E1B06 IBIS Model (Rev. A)

SLVM743A.ZIP (3 KB) - IBIS Model
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOT-5X3 (DRL) 6 Ultra Librarian
SOT-SC70 (DCK) 6 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频