TRF0108-SP
- 标准微电路图 (SMD) 5962-25201
- 辐射:
- 电离辐射总剂量 (TID)
- 耐辐射加固保障 (RHA) 高达 100krad (Si) TID
- 无增强低剂量率敏感性 (ELDRS) 工艺
- 高剂量率辐射批次验收测试 (HDR RLAT) 高达 100krad (Si) TID
- 单粒子效应 (SEE)
- 单粒子锁定 (SEL) 对于 75MeV-cm2/mg 的线性能量传递 (LET) 具有抗扰性
- 单粒子瞬变 (SET) 的特征值基于 75MeV-cm2/mg 的 LET
- 电离辐射总剂量 (TID)
- 航天级 QML-P
- 无铅结构
- 工作温度范围:-55°C 至 +125°C
- 差动转单端 (D2S) 射频放大器
- 近直流至 12GHz
- 增益:2GHz 时为 15.2dB
- OP1dB:11.4dBm (2GHz)、9.4dBm (6GHz)
- OIP3:27dBm (2GHz)、28.5dBm (6GHz)
- NF:10.9dB (2GHz)、12.1dB (6GHz)
- HD2 (1GHz):2dBm 时为 –57dBc
- HD3 (1GHz):2dBm 时为 –57dBc
- 附加(残留)相位噪声 (1GHz):
- 10kHz 偏移时为 –154.6dBc/Hz
- 增益和相位不平衡:±0.6dB 和 ±3º
- 差动输入与 100Ω 匹配,单端输出与 50Ω 匹配
- 关断特性
- 5V 电源
- 有效电流:170mA
TRF0108-SP 是一款超高性能差分转单端 (D2S) 放大器,专门针对射频 (RF) 应用进行了优化。当由高性能 DAC39RF10-SP 或 AFE7950-SP 等数模转换器 (DAC) 驱动时,该器件非常适合需要 D2S 转换的应用。片上匹配元件可简化印刷电路板 (PCB) 的实现方案,在可用带宽内具有超高性能。此器件采用德州仪器 (TI) 先进的互补 BiCMOS 工艺制造,并采用节省空间的 WQFN-FCRLF 2mm x 2mm 封装。
TRF0108-SP 采用单路 5V 电源供电,工作电流约为 170mA。断电功能还有助于实现节能。
技术文档
| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TRF0108-SP 耐辐射加固保障 (RHA)、近直流至 12GHz、差动转单端射频放大器 数据表 | PDF | HTML | 2024年 7月 13日 | ||
| * | 辐射与可靠性报告 | TRF0108-SP Total Ionizing Dose (TID) Report (Rev. A) | 2026年 3月 30日 | |||
| * | 辐射与可靠性报告 | TRF0108-SP Single-Event Effects (SEE) Radiation Report | 2026年 3月 27日 | |||
| 选择指南 | TI Space Products (Rev. L) | 2026年 3月 27日 |
设计与开发
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TRF0108SP-EVM-DOC-CERT — TRF0108SP-EVM EU Declaration of Conformity (DoC)
支持的产品和硬件
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| WQFN-FCRLF (RPV) | 12 | Ultra Librarian |
订购和质量
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
- 制造厂地点
- 封装厂地点
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